寧波大學徐春強獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉寧波大學申請的專利一種Fe3Ge單晶及其制備方法和應用獲國家發明授權專利權,本發明授權專利權由國家知識產權局授予,授權公告號為:CN120330866B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-12發布的發明授權授權公告中獲悉:該發明授權的專利申請號/專利號為:202510819870.X,技術領域涉及:C30B9/10;該發明授權一種Fe3Ge單晶及其制備方法和應用是由徐春強設計研發完成,并于2025-06-19向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種Fe3Ge單晶及其制備方法和應用在說明書摘要公布了:本發明提供一種Fe3Ge單晶及其制備方法和應用,屬于拓撲材料技術領域。本發明提供的Fe3Ge單晶的制備方法采用錫作為助熔劑,結合控制鐵、鍺、錫的摩爾比和晶體生長的溫度、時間、降溫速率,可制備得到大尺寸、高結晶質量和高純度的Fe3Ge單晶。采用本發明提供的方法制備得到的Fe3Ge單晶的晶胞參數中晶軸a和晶軸b的長度分別為5.18?、晶軸c的長度為4.23?,(001)晶面上晶軸a和晶軸b之間的夾角β為58.7°、γ為61.3°,具有扭曲的籠目晶格結構;Fe3Ge單晶的電阻率隨溫度的降低而減小,具有非常大的反常熱電導率,可滿足存儲、傳感器、量子計算或量子通信領域對大尺寸、高質量單晶的需求。
本發明授權一種Fe3Ge單晶及其制備方法和應用在權利要求書中公布了:1.一種Fe3Ge單晶的制備方法,其特征在于,包括以下步驟: S1、稱取原料:在保護氣氛下稱取鐵、鍺和錫,混合后得到混合原料,所述鐵、鍺和錫的摩爾比為3:1:15-20; S2、晶體生長:步驟S1中的所述混合原料在真空環境下進行晶體生長,所述晶體生長的保溫溫度≥1000℃、保溫時間≥40h,保溫結束后以≤5℃h的降溫速率降溫至500-800℃,得到鐵鍺晶體熔液; S3、后處理:步驟S2中的所述鐵鍺晶體熔液經離心、冷卻和除助熔劑,得到Fe3Ge單晶。
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