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龍圖騰網獲悉通威微電子有限公司申請的專利一種碳化硅粉料合成方法及裝置獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN120348949B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-12發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510865081.X，技術領域涉及：C01B32/984；該發明授權一種碳化硅粉料合成方法及裝置是由王鵬剛設計研發完成，并于2025-06-26向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種碳化硅粉料合成方法及裝置在說明書摘要公布了：本發明實施例提供了一種碳化硅粉料合成方法及裝置，涉及碳化硅粉料合成技術領域。碳化硅粉料合成方法能應用于碳化硅粉料合成裝置。在合成碳化硅粉料的過程中，原料粉料及硅晶原料容置于坩堝內，硅晶原料包括多個硅棒，多個硅棒間隔設置，硅棒容置于原料粉料內。在碳化硅粉料合成過程中，坩堝內的溫度升高至一定溫度時，硅棒開始融化，并向碳粉中擴散，碳粉可以與硅熔體相互滲透形成大塊的硅碳混合物，進而可以在高溫下反應生成碳化硅粉料，每個硅棒均可以形成一個硅碳混合物的形核點，以便于在高溫下反應形成碳化硅粉料，從而可以提高大尺寸碳化硅粉料的產率。

本發明授權一種碳化硅粉料合成方法及裝置在權利要求書中公布了：1.一種碳化硅粉料合成方法，其特征在于，所述方法包括： 以使原料粉料（200）填裝于坩堝（100）內，所述原料粉料（200）包括碳粉，所述原料粉料（200）內還包含有晶型穩定劑，所述晶型穩定劑用于降低碳化硅顆粒的界面能； 以使硅晶原料（300）填裝于所述坩堝（100）內，所述硅晶原料（300）包括多個硅棒（320），多個所述硅棒（320）間隔設置，并使所述硅棒（320）容置于所述原料粉料（200）內； 以使所述硅晶原料（300）在所述碳粉中融化，且在第一預設溫度下使所述硅晶原料與所述碳粉共同反應生成碳化硅粉料； 所述坩堝（100）還設置有碳化硅晶片（130），所述碳化硅晶片（130）將所述坩堝（100）分隔設置的第一腔室（101）與第二腔室（102），所述第一腔室（101）位于所述碳化硅晶片（130）遠離所述原料粉料（200）的一側，所述碳化硅晶片（130）上用于在所述第一預設溫度下沉積碳化硅粉料。

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