深圳平湖實驗室夏云獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉深圳平湖實驗室申請的專利半導體器件、其制備方法及電子設備獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN120390438B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-12發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510878551.6，技術領域涉及：H10D84/00；該發明授權半導體器件、其制備方法及電子設備是由夏云;葉子軒;陳剛設計研發完成，并于2025-06-27向國家知識產權局提交的專利申請。
本半導體器件、其制備方法及電子設備在說明書摘要公布了：本公開的半導體器件、其制備方法及電子設備，包括N?漂移層；N+襯底，位于N?漂移層的一側；溝槽，貫穿N+襯底；N?緩沖層，位于溝槽靠近N?漂移層的一側；P+陽極，在溝槽靠近N?漂移層的一側被N?緩沖層包裹；陽極導電層，在溝槽內與P+陽極遠離N?漂移層的表面接觸，并在溝槽外與N+襯底遠離N?漂移層一側的表面接觸；N?層，與N+襯底朝向N?漂移層的表面、以及N?漂移層朝向N+襯底的表面接觸，N?層在溝槽的底面與N+襯底朝向N?漂移層的表面之間的厚度TNL大于等于0，且至少在TNL等于0時，N?層的摻雜濃度小于N?漂移層的摻雜濃度。
本發明授權半導體器件、其制備方法及電子設備在權利要求書中公布了：1.一種半導體器件，其特征在于，包括： N-漂移層； N+襯底，位于所述N-漂移層的一側； 溝槽，貫穿所述N+襯底； N-緩沖層，位于所述溝槽靠近所述N-漂移層的一側； P+陽極，在所述溝槽靠近所述N-漂移層的一側被所述N-緩沖層包裹； 陽極導電層，在所述溝槽內與所述P+陽極遠離所述N-漂移層的表面接觸，并在所述溝槽外與所述N+襯底遠離所述N-漂移層一側的表面接觸； N-層，與所述N+襯底朝向所述N-漂移層的表面、以及所述N-漂移層朝向所述N+襯底的表面；所述N-層在所述溝槽的底面所在平面與所述N+襯底朝向所述N-漂移層的表面之間的厚度TNL大于等于0，且至少在TNL等于0時，所述N-層的摻雜濃度小于所述N-漂移層的摻雜濃度。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人深圳平湖實驗室，其通訊地址為：518116 廣東省深圳市龍崗區平湖街道中科億方智匯產業園12棟；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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