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龍圖騰網(wǎng)獲悉深圳市美思先端電子有限公司申請(qǐng)的專利一種MEMS薄膜制作方法及MEMS薄膜傳感器獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN120397982B 。

龍圖騰網(wǎng)通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-12發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202510909237.X，技術(shù)領(lǐng)域涉及：B81C1/00；該發(fā)明授權(quán)一種MEMS薄膜制作方法及MEMS薄膜傳感器是由宏宇;武斌設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2025-07-02向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本一種MEMS薄膜制作方法及MEMS薄膜傳感器在說(shuō)明書摘要公布了：本發(fā)明公開了一種MEMS薄膜制作方法及MEMS薄膜傳感器，該制作方法包括，使用反應(yīng)性離子刻蝕工藝對(duì)晶圓表面的薄膜材料進(jìn)行局部刻蝕，形成通孔通槽；使用涂覆工藝或沉積工藝，將填充材料填充于上述步驟形成的通孔通槽中；使用電感耦合等離子體刻蝕工藝，在所述晶圓背離所述薄膜材料的一側(cè)進(jìn)行背腔刻蝕；去除填充的所述填充材料，得到保留薄膜材料的薄膜結(jié)構(gòu)。上述MEMS薄膜制作方法，使用填充材料對(duì)通孔通槽進(jìn)行覆蓋，確保在對(duì)晶圓進(jìn)行背腔刻蝕的過(guò)程中不會(huì)造成薄膜上下貫通，大幅提高了非封閉薄膜結(jié)構(gòu)的制作效率，可高效、可靠地加工得到具備非封閉薄膜結(jié)構(gòu)的MEMS傳感器。

本發(fā)明授權(quán)一種MEMS薄膜制作方法及MEMS薄膜傳感器在權(quán)利要求書中公布了：1.一種MEMS薄膜制作方法，其特征在于，所述MEMS薄膜制作方法用于對(duì)晶圓進(jìn)行刻蝕以制作得到薄膜，所述晶圓包括依次層疊設(shè)置的薄膜材料及襯底，所述薄膜材料與所述襯底相接觸，所述方法包括： 使用反應(yīng)性離子刻蝕工藝對(duì)晶圓表面的薄膜材料進(jìn)行局部刻蝕，在所述薄膜材料中形成通孔通槽； 使用涂覆工藝或沉積工藝，將填充材料填充于所形成的通孔通槽中； 使用電感耦合等離子體刻蝕工藝，在所述襯底背離所述薄膜材料的一側(cè)進(jìn)行刻蝕形成背腔，以暴露薄膜材料靠近所述襯底一側(cè)的表面； 去除填充的所述填充材料，得到保留薄膜材料的薄膜結(jié)構(gòu)； 所述使用涂覆工藝或沉積工藝，將填充材料填充于所形成的通孔通槽中之前，還包括： 在所形成的通孔通槽內(nèi)沉積保護(hù)材料； 對(duì)所沉積的保護(hù)材料進(jìn)行反應(yīng)性離子刻蝕，形成尺寸小于所述通孔通槽的小孔小槽，則所述通孔通槽的內(nèi)壁保留有一層保護(hù)材料層。

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