湖南飛航材料科技有限公司周永紅獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉湖南飛航材料科技有限公司申請的專利一種抗沖擊陶瓷及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN120423866B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-12發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510913670.0，技術領域涉及：C04B35/119；該發明授權一種抗沖擊陶瓷及其制備方法是由周永紅設計研發完成，并于2025-07-03向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種抗沖擊陶瓷及其制備方法在說明書摘要公布了：本申請涉及一種抗沖擊陶瓷及其制備方法，抗沖擊陶瓷包括交替層疊的致密層和多孔層，致密層中包括由基體和分散在基體中的體積分數15?20%的SiC晶須；多孔層中包括基體和分散在基體中的體積分數8?12%的SiC晶須，且多孔層的孔隙率為30?40%；SiC晶須在致密層中沿水平面呈0°±5°定向排列，SiC晶須在多孔層中呈45°±10°交錯排列；基體為Al2O3包覆ZrO2的核殼結構，其中核相為50?100nm的t?ZrO2，殼層為200?300nm的α?Al2O3。本申請抗沖擊陶瓷通過致密層與多孔層交替層疊并調控晶須排列方式，構建應力波阻抗梯度，使得沖擊能量通過晶須拔出、裂紋偏轉及孔隙塌陷實現耗散。
本發明授權一種抗沖擊陶瓷及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種抗沖擊陶瓷，其特征在于，包括交替層疊的致密層和多孔層，所述致密層中包括由基體和分散在所述基體中的體積分數15-20%的SiC晶須；所述多孔層中包括基體和分散在所述基體中的體積分數8-12%的SiC晶須，且所述多孔層的孔隙率為30-40%；所述SiC晶須在所述致密層中沿水平面呈0°±5°定向排列，所述SiC晶須在所述多孔層中呈45°±10°交錯排列；所述基體為Al2O3包覆ZrO2的核殼結構，其中核相為50-100nm的t-ZrO2，殼層為200-300nm的α-Al2O3； 所述SiC晶須表面包覆有厚度10-30nm的Fe3O4納米層，所述SiC晶須的直徑為0.5-1μm，所述SiC晶須的長徑比為20-50μm。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人湖南飛航材料科技有限公司，其通訊地址為：410000 湖南省長沙市自由貿易試驗區長沙片區星沙產業基地藍田北路1號夢工廠工業配套園C1棟206；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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