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龍圖騰網獲悉合肥晶合集成電路股份有限公司申請的專利一種半導體器件結構的制造方法及半導體器件結構獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN120417471B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-12發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510912148.0，技術領域涉及：H10D84/01；該發明授權一種半導體器件結構的制造方法及半導體器件結構是由楊夢宇;宋富冉;周儒領設計研發完成，并于2025-07-03向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種半導體器件結構的制造方法及半導體器件結構在說明書摘要公布了：本發明涉及一種半導體器件結構的制造方法及半導體器件結構，屬于半導體制造技術領域。該方法包括：提供半導體襯底，在襯底上依次沉積柵極氧化層和高介電常數介電材料層；在高介電常數介電材料層上生成PMOS功函數層，該功函數層包括注入鎵離子的覆蓋層以及預設厚度的氧化鎵薄膜；制備偽柵極結構，依次沉積接觸蝕刻阻擋層和第零層間介質層并平坦化，該介質層包括硼含量不同的兩層硼磷硅玻璃薄膜；依次進行偽柵極去除、金屬填充及平坦化處理，形成具有集成金屬柵極和源漏接觸的半導體器件結構。本發明通過在PMOS區域引入鎵離子和氧化鎵薄膜，并采用雙層不同硼含量的硼磷硅玻璃作為第零層間介質層，有效提高了半導體器件的性能和穩定性。

本發明授權一種半導體器件結構的制造方法及半導體器件結構在權利要求書中公布了：1.一種半導體器件結構的制造方法，其特征在于，包括： S1：提供半導體襯底，所述半導體襯底的表面形成有至少一個NMOS區域、至少一個PMOS區域以及區域之間的隔離結構；在所述半導體襯底上依次沉積柵極氧化層和高介電常數介電層； S2、在所述高介電常數介電層上生成PMOS功函數層，所述PMOS功函數層包括注入鎵離子的覆蓋層以及預設厚度的氧化鎵薄膜；其中，在所述高介電常數介電層上生成PMOS功函數層，包括：在所述高介電常數介電層上沉積覆蓋層；在所述覆蓋層上設置掩模；在所述掩模上NMOS區域對應位置設置光阻，以覆蓋NMOS區域并暴露PMOS區域；對暴露的PMOS區域執行鎵離子注入；在所述掩模和所述光阻上沉積預設厚度的氧化鎵薄膜；去除所述光阻以及覆蓋在所述光阻上的氧化鎵薄膜，并執行高介電常數材料退火； S3、在所述PMOS功函數層的基礎上制造偽柵極，在所述偽柵極兩側形成側墻和相應的源漏區； S4、在偽柵極的暴露表面依次沉積接觸蝕刻阻擋層和第零層間介質層，并對所述第零層間介質層進行平坦化操作；所述第零層間介質層包括：第一硼磷硅玻璃薄膜和第二硼磷硅玻璃薄膜，所述第一硼磷硅玻璃薄膜中硼的含量低于所述第二硼磷硅玻璃薄膜； S5、在平坦化后的所述第零層間介質層上，依次進行偽柵極去除、金屬填充及平坦化處理。

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