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龍圖騰網獲悉青島思銳智能科技股份有限公司申請的專利等離子體增強原子層沉積設備及方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN120425321B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-12發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510926911.5，技術領域涉及：C23C16/455；該發明授權等離子體增強原子層沉積設備及方法是由張昊;國政;李英萬;劉連瑞;姚立柱設計研發完成，并于2025-07-07向國家知識產權局提交的專利申請。

本等離子體增強原子層沉積設備及方法在說明書摘要公布了：本發明公開了一種等離子體增強原子層沉積設備及方法，設備包括工藝腔室、噴淋盤、絕緣隔離盤、射頻電源和升降驅動機構，工藝腔室內支撐有晶圓，噴淋盤設置在工藝腔室內部，噴淋盤位于晶圓的上方，絕緣隔離盤位于噴淋盤與工藝腔室的內頂壁之間，絕緣隔離盤包括上下排布的第一絕緣隔離盤和第二絕緣隔離盤，第一絕緣隔離盤與工藝腔室固定連接，第二絕緣隔離盤與噴淋盤固定連接，射頻電源用于施加射頻電壓使得通入的工藝氣體發生電離產生等離子體，噴淋盤作為正極，工藝腔室作為負極，升降驅動機構用于驅動噴淋盤和第二絕緣隔離盤做升降運動以使得第二絕緣隔離盤與第一絕緣隔離盤密封貼合或者分離，避免射頻電源施加射頻電壓時正負極導通。

本發明授權等離子體增強原子層沉積設備及方法在權利要求書中公布了：1.一種等離子體增強原子層沉積設備，其特征在于，包括工藝腔室（1）、噴淋盤（2）、絕緣隔離盤（3）、射頻電源（4）和升降驅動機構（5）， 所述工藝腔室（1）上開設有第一進氣口（101）和抽氣口（102），所述工藝腔室（1）內支撐有晶圓（7），所述第一進氣口（101）用于向所述工藝腔室（1）內部通入前驅體， 所述噴淋盤（2）設置在所述工藝腔室（1）內部，所述噴淋盤（2）位于所述晶圓（7）的上方且與所述晶圓（7）保持距離，所述噴淋盤（2）用于向所述晶圓（7）表面噴淋工藝氣體， 所述絕緣隔離盤（3）設置在所述工藝腔室（1）內部，所述絕緣隔離盤（3）位于所述噴淋盤（2）與所述工藝腔室（1）的內頂壁之間，用于將所述噴淋盤（2）和所述工藝腔室（1）電隔離，所述絕緣隔離盤（3）包括上下排布的第一絕緣隔離盤（31）和第二絕緣隔離盤（32），所述第一絕緣隔離盤（31）與所述工藝腔室（1）固定連接，所述第二絕緣隔離盤（32）與所述噴淋盤（2）固定連接， 所述射頻電源（4）與所述噴淋盤（2）電連接，所述噴淋盤（2）作為正極，所述工藝腔室（1）作為負極，所述射頻電源（4）用于施加射頻電壓使得所述工藝腔室（1）內的所述工藝氣體發生電離產生等離子體， 所述升降驅動機構（5）用于驅動所述噴淋盤（2）和所述第二絕緣隔離盤（32）做升降運動以使得所述第二絕緣隔離盤（32）與所述第一絕緣隔離盤（31）密封貼合或者分離，所述工藝腔室（1）內通入所述前驅體時，所述第二絕緣隔離盤（32）與所述第一絕緣隔離盤（31）密封貼合；所述噴淋盤（2）噴淋所述工藝氣體時，所述第二絕緣隔離盤（32）與所述第一絕緣隔離盤（31）分離。

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