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龍圖騰網獲悉燦芯半導體(蘇州)有限公司申請的專利一種用于SAR ADC的高精度比較器獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN120498428B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-12發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510992345.8，技術領域涉及：H03K5/24；該發明授權一種用于SAR ADC的高精度比較器是由林志倫;岳慶華;段江昆設計研發完成，并于2025-07-18向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種用于SAR ADC的高精度比較器在說明書摘要公布了：本發明公開了一種用于SARADC的高精度比較器，屬于比較器技術領域，該所述高精度比較器為級聯結構，第一級到N級為靜態放大器級，其中每一級的電路結構相同，內部的器件尺寸以及驅動電流會根據負載情況而有所調整；最后一級為鎖存器，通過正反饋將放大后的模擬信號轉成數字輸出。本發明，通過放大器負載端的低電壓設計，可以允許比較器的輸入共模電平為電源電壓VDD，這樣SARADC在底板采樣的時候其DAC的電容頂板不需要額外的共模電平產生電路，只需要連接到電源電壓VDD就可以，可以起到節省面積功耗的目的，同時該比較器可以支持低電源電壓的應用。

本發明授權一種用于SAR ADC的高精度比較器在權利要求書中公布了：1.一種用于SARADC的高精度比較器，其特征在于，所述高精度比較器為級聯結構，第一級到N級為靜態放大器級，其中每一級的電路結構相同，內部的器件尺寸以及驅動電流會根據負載情況而有所調整；最后一級為鎖存器，通過正反饋將放大后的模擬信號轉成數字輸出； 其中，比較器的輸入信號為差分輸入VINP_CMPVIN_CMP，分別連接到第一級放大器的正負輸入端VIPVIN；第一級放大器的正負輸出端的線名為VOP1VON1，分別連接到后級電路正負輸入端VIPVIN；第2級到第N級的放大器輸出線名為VOP2VON2到VOPNVONN；最后一級為鎖存器，其輸出端口DOPDON的輸出線名為DP_CMPDN_CMP是整個比較器的輸出信號； 所述高精度比較器中，輸入信號VIPVIN分別連接到N型MOS管差分輸入對M2、M3的柵端；N型MOS管M2、M3的源端連接到尾電流源M1A的漏端；N型MOS管M2、M3的漏端分別連接到線VN1VP1；復位器件P型MOS管M4的源端和漏端分別跨接到VN1VP1，同時其柵端連接到RST_B的線上；電阻R1、R2的正端分別連接到VN1、VP1，電阻R1、R2的負端連接在一起，線名為VCM1；P型MOS管M5、M6的漏端分別連接到VN1、VP1，P型MOS管M5、M6的源端連接到電源電壓VDD，兩個P型MOS管M5、M6的柵端連接在一起，線名為VCM2；IK_IN端連接到N型MOS管M1D的漏端和柵端，同時連接到M1A、M1B、M1C的柵端；N型MOS管M1A、M1B、M1C和M1D的源端都接地；N型MOS管M1C的漏端連接到P型MOS管M9的漏端和柵端，以及P型MOS管M7的柵端；P型MOS管M9和M7的源端連接到電源VDD上；P型MOS管M7的漏端連接到VCM1線上；P型MOS管M8的柵端連接到VCM1線上，漏端連接到VCM2線上；電阻R3的正端連接到VCM2線柵上，負端連接到M8的柵上一級M1B的漏端； 電容C1的上極板連接到VN1，下極板連接到VON；電容C2的上極板連接到VP1，下極板連接到VOP；N型MOS管M10的源端和漏端分別跨接電容C1的上極板和下極板，柵端連接到CKCM_B；N型MOS管M11的源端和漏端分別跨接電容C2的上極板和下極板，柵端連接到CKCM_B；N型MOS管M12的源端和漏端分別連接到VOP、VON，柵端連接到AZ_BST。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人燦芯半導體(蘇州)有限公司，其通訊地址為：215000 江蘇省蘇州市工業園區通園路208號蘇化科技園7幢2F；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。