英飛凌科技奧地利有限公司G.內鮑爾獲國家專利權
買專利賣專利找龍圖騰，真高效！ 查專利查商標用IPTOP,全免費！專利年費監控用IP管家,真方便！
龍圖騰網獲悉英飛凌科技奧地利有限公司申請的專利半導體組件及半導體封裝獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN111627879B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-09發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202010123545.7，技術領域涉及：H01L23/488；該發明授權半導體組件及半導體封裝是由G.內鮑爾;A.米爾錢達尼設計研發完成，并于2020-02-27向國家知識產權局提交的專利申請。
本半導體組件及半導體封裝在說明書摘要公布了：在一個實施例中，提供了一種半導體封裝，其包括至少一個管芯墊、多個外部接觸部、第一半導體器件和第二半導體器件。第二半導體器件包括第一晶體管器件，該第一晶體管器件具有源極電極、柵極電極和漏極電極、前表面和后表面。前金屬化位于第二半導體器件的前表面上，并且后金屬化位于第二半導體器件的后表面上。前金屬化包括耦合到源極電極的第一電源接觸墊，第一電源接觸墊安裝在管芯墊上。后金屬化包括電耦合到漏極電極的第二電源接觸墊和與第二電源接觸墊和漏極電極電絕緣的輔助橫向再分布結構。第一半導體器件電耦合到輔助橫向再分布結構。
本發明授權半導體組件及半導體封裝在權利要求書中公布了：1.一種半導體封裝，包括： 至少一個管芯墊； 多個外部接觸部； 第一半導體器件；以及 第二半導體器件，包括第一晶體管器件，所述第一晶體管器件具有源極電極、柵極電極、漏極電極、前表面、后表面、在所述前表面上的前金屬化和在所述后表面上的后金屬化， 其中，所述前金屬化包括耦合到所述源極電極的第一電源接觸墊， 其中，所述第一電源接觸墊安裝在所述至少一個管芯墊上， 其中，所述后金屬化包括電耦合到所述漏極電極的第二電源接觸墊、和與所述第二電源接觸墊和所述漏極電極電絕緣的輔助橫向再分布結構， 其中，所述第一半導體器件電耦合到所述輔助橫向再分布結構， 其中所述第二半導體器件還包括從所述后表面延伸到所述前表面的至少一個穿襯底通孔，并且其中所述至少一個穿襯底通孔電耦合到所述后表面上的所述輔助橫向再分布結構。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人英飛凌科技奧地利有限公司，其通訊地址為：奧地利菲拉赫西門子大街2號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
免責聲明
1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
開放平臺
擔保交易
惠及多方
會員特惠
專屬平臺
適合多方
數據共享
功能齊全
皖公網安備 34010402703815號