福建省晉華集成電路有限公司方曉培獲國家專利權
買專利賣專利找龍圖騰，真高效！ 查專利查商標用IPTOP,全免費！專利年費監控用IP管家,真方便！
龍圖騰網獲悉福建省晉華集成電路有限公司申請的專利半導體結構獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114388465B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-09發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210062083.1，技術領域涉及：H01L23/485；該發明授權半導體結構是由方曉培;黃永泰;游馨;郭東龍;夏勇設計研發完成，并于2020-06-19向國家知識產權局提交的專利申請。
本半導體結構在說明書摘要公布了：本發明提供了一種半導體結構。通過設置倒L型接觸結構，并使倒L型接觸結構的突出部朝向鄰近的淺溝渠隔離結構突出，以及至少在倒L型接觸結構遠離主動區域的一側設置有至少兩層電介質層，該倒L型的接觸結構具有特殊的形狀，此形狀有助于穩固形成在倒L型的接觸結構側邊的第一電介質層與第二電介質層，并且提升半導體結構的穩定性。
本發明授權半導體結構在權利要求書中公布了：1.一種半導體結構，其特征在于，包括： 襯底，所述襯底中形成有淺溝渠隔離結構，所述淺溝渠隔離結構定義出主動區域； 第一倒L型接觸結構，位于所述襯底上，所述第一倒L型接觸結構包含豎直部和水平部，所述豎直部豎直形成在所述襯底上，所述水平部位于所述豎直部上并橫向延伸出以構成突出部，其中所述第一倒L型接觸結構的所述豎直部的底部接觸所述主動區域，所述第一倒L型接觸結構的突出部朝向鄰近的淺溝渠隔離結構突出；以及 第一電介質層與第二電介質層，至少位于所述第一倒L型接觸結構朝向淺溝渠隔離結構的一側，所述第二電介質層位于所述第一電介質層上，所述第二電介質層底部低于所述第一電介質層的頂部，所述第一倒L型接觸結構的所述豎直部的側壁接觸所述第一電介質層，所述第一倒L型接觸結構的所述突出部的側壁接觸所述第二電介質層。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人福建省晉華集成電路有限公司，其通訊地址為：362200 福建省泉州市晉江市集成電路科學園聯華大道88號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
免責聲明
1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
開放平臺
擔保交易
惠及多方
會員特惠
專屬平臺
適合多方
數據共享
功能齊全
皖公網安備 34010402703815號