恩特格里斯公司唐瀛獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉恩特格里斯公司申請的專利用于離子植入的等離子體浸漬方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114600222B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-09發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202080071619.5，技術領域涉及：H01L21/265；該發明授權用于離子植入的等離子體浸漬方法是由唐瀛;B·C·亨德里克斯;O·比爾;S·N·葉達弗設計研發完成，并于2020-09-17向國家知識產權局提交的專利申請。
本用于離子植入的等離子體浸漬方法在說明書摘要公布了：本發明涉及使用多種前驅物氣體的等離子體浸漬離子植入方法，特別是出于相對于在植入過程中也植入工件內的其它原子物種，控制植入所述工件內的特定原子摻雜劑物種的量的目的。
本發明授權用于離子植入的等離子體浸漬方法在權利要求書中公布了：1.一種離子植入方法，其包括： 將工件支撐在腔室中； 從包含第一前驅物及不同于所述第一前驅物的至少一種額外前驅物的前驅物混合物產生等離子體，其中所述等離子體包含至少兩種不同的等離子體離子物種，及 其中所述至少兩種不同的等離子體離子物種包括所選原子物種及一或多種額外原子物種； 向所述工件施加電勢，使所述至少兩種不同的等離子體離子物種朝向所述工件加速，以引起所述所選原子物種及所述一或多種額外原子物種植入到所述工件表面上； 其中所述至少一種額外前驅物引起增加量的所選原子物種植入到所述工件中，其中植入所述工件中的所述所選原子物種的量比通過缺少所述至少一種額外前驅物的方法植入的所述所選原子物種的量高至少5％。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人恩特格里斯公司，其通訊地址為：美國馬薩諸塞州；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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