東京毅力科創株式會社小山賢一獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉東京毅力科創株式會社申請的專利基板處理方法、基板處理裝置和納米線或納米片的晶體管的制造方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114616650B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-09發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202080072884.5，技術領域涉及：H01L21/3065；該發明授權基板處理方法、基板處理裝置和納米線或納米片的晶體管的制造方法是由小山賢一;山內祥平;土橋和也;清水昭貴設計研發完成，并于2020-10-15向國家知識產權局提交的專利申請。
本基板處理方法、基板處理裝置和納米線或納米片的晶體管的制造方法在說明書摘要公布了：本發明的課題在于，交替地層疊有硅層與硅鍺層的基板的處理中，適當地縮短處理工序。本發明為一種基板處理方法，其為交替地層疊有硅層與硅鍺層的基板的處理方法，所述基板處理方法使用經等離子體化的包含氟和氧的處理氣體，將前述硅鍺層的露出面的表層選擇性地改性，形成氧化膜。
本發明授權基板處理方法、基板處理裝置和納米線或納米片的晶體管的制造方法在權利要求書中公布了：1.一種基板處理方法，其為交替地層疊有硅層與硅鍺層的基板的處理方法， 所述基板處理方法使用經等離子體化的包含氟和氧的處理氣體，將所述硅鍺層的露出面的表層選擇性地改性，形成氧化膜， 其中，使用經等離子體化的包含含氮氣體的第2處理氣體，將所述氧化膜的至少表層改性，形成氮化膜。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人東京毅力科創株式會社，其通訊地址為：日本東京都；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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