TCL科技集團股份有限公司何斯納獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉TCL科技集團股份有限公司申請的專利納米材料及其制備方法和量子點發光二極管獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114520297B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-09發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202011316375.0，技術領域涉及：H10K50/16；該發明授權納米材料及其制備方法和量子點發光二極管是由何斯納;吳龍佳;吳勁衡設計研發完成，并于2020-11-19向國家知識產權局提交的專利申請。
本納米材料及其制備方法和量子點發光二極管在說明書摘要公布了：本發明公開一種納米材料及其制備方法與量子點發光二極管。所述納米材料具有核殼結構，其中核包括TiS2納米顆粒，殼層包括金屬氧化物納米顆粒，所述金屬氧化物納米顆粒的帶隙大于TiS2納米顆粒的帶隙。本發明納米材料中，寬帶隙的金屬氧化物納米顆粒可以有效的阻擋空穴從量子點發光層傳輸到陰極，從而確保了量子點發光層中電子和空穴的復合效率。以寬帶隙金屬氧化物納米顆粒為殼層，包覆帶隙相對較窄的TiS2納米顆粒，提高了核殼結構納米材料的穩定性，有利于改善電子的傳輸。金屬氧化物納米顆粒為殼層，可以填補TiS2納米顆粒表面的硫空位，降低表面硫缺陷的形成，減少缺陷對電子的捕獲，提高電子傳輸性能，增強器件的發光效率。
本發明授權納米材料及其制備方法和量子點發光二極管在權利要求書中公布了：1.一種納米材料，其特征在于，所述納米材料具有核殼結構，其中核由TiS2納米顆粒組成，殼層由金屬氧化物納米顆粒組成，所述金屬氧化物納米顆粒的帶隙大于TiS2納米顆粒的帶隙； 所述金屬氧化物納米顆粒包括TiO2納米顆粒、ZnO納米顆粒、SnO2納米顆粒中的一種； 所述TiS2納米顆粒和金屬氧化物納米顆粒的摩爾比為1：（0.3~0.6）。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人TCL科技集團股份有限公司，其通訊地址為：516000 廣東省惠州市仲愷高新區惠風三路17號TCL科技大廈；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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