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龍圖騰網獲悉浙江信唐智芯科技有限公司申請的專利基于硅上壓電薄膜結構的體聲波諧振器及制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN112350679B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-09發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202011332618.X，技術領域涉及：H03H3/007；該發明授權基于硅上壓電薄膜結構的體聲波諧振器及制備方法是由高安明;姜偉;劉偉設計研發完成，并于2020-11-24向國家知識產權局提交的專利申請。

本基于硅上壓電薄膜結構的體聲波諧振器及制備方法在說明書摘要公布了：本發明提供了一種基于硅上壓電薄膜結構的體聲波諧振器及制備方法，包括：電極、氮化鋁壓電薄膜層3以及絕緣體上硅SOI；所述電極包括：頂電極1；所述氮化鋁壓電薄膜層3以及絕緣體上硅SOI設置于頂電極1的下方；所述絕緣體上硅包括：單晶硅頂層4、絕緣二氧化硅中間層5、硅襯底層；所述硅襯底層的厚度大于設定閾值；所述絕緣二氧化硅中間層5的厚度小于設定閾值；所述單晶硅頂層4的厚度大于絕緣二氧化硅中間層5；所述單晶硅頂層4的厚度小于硅襯底層；本專利所提出的硅上壓電薄膜結構結合了上述兩類諧振器的優點，從而方便設計出同時具有高Q值和低動生阻抗的諧振器。

本發明授權基于硅上壓電薄膜結構的體聲波諧振器及制備方法在權利要求書中公布了：1.一種基于硅上壓電薄膜結構的體聲波諧振器，其特征在于，包括：電極、氮化鋁壓電薄膜層（3）以及絕緣體上硅； 所述電極包括：頂電極（1）； 所述氮化鋁壓電薄膜層（3）以及絕緣體上硅設置于頂電極（1）的下方； 所述絕緣體上硅包括：單晶硅頂層（4）、絕緣二氧化硅中間層（5）、硅襯底層； 所述硅襯底層的厚度大于設定閾值； 所述絕緣二氧化硅中間層（5）的厚度小于設定閾值； 所述單晶硅頂層（4）的厚度大于絕緣二氧化硅中間層（5）； 所述單晶硅頂層（4）的厚度小于硅襯底層； 所述電極還包括：底電極（2）； 所述底電極（2）設置于頂電極（1）的下方； 所述底電極能夠采用電性浮接； 所述底電極能夠接地； 所述頂電極（1）采用以下任意一種結構： -環狀結構； -同心圓環結構； 還包括：焊盤； 該環狀結構被均等的分為四個部分，其中相對的四分之一部分相互連接并連接到一側的焊盤上，施加在兩個相鄰四分之一部分的電信號將會有相反的相位，從而在氮化鋁壓電薄膜層中激勵起lamb波諧振； 同心圓環結構中心的圓盤狀電極與一端的焊盤相連，圓盤外圍環繞的圓環與另一端的焊盤相連，當在兩端焊盤施加存在電勢差的信號時，產生的電場在氮化鋁壓電薄膜層中激勵起lamb波諧振。

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