株式會社日本顯示器山口陽平獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉株式會社日本顯示器申請的專利半導體器件及其制造方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115004341B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-09發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202080094083.9，技術領域涉及：H10D30/01；該發明授權半導體器件及其制造方法是由山口陽平設計研發完成，并于2020-12-07向國家知識產權局提交的專利申請。
本半導體器件及其制造方法在說明書摘要公布了：適合制造在電子電路中包括使用了多晶硅的元件和使用了氧化物半導體的元件這兩者的半導體器件。在絕緣基板50上形成由多晶硅膜54形成的第1半導體區域，在第1半導體區域上層疊絕緣膜55、58。在絕緣膜55、58中形成接觸孔63后，在絕緣膜58b的表面形成氧化物半導體膜82。在氧化物半導體膜82的表面形成蝕刻掩模84。使用該蝕刻掩模84對氧化物半導體膜82進行蝕刻，從接觸孔63中除去氧化物半導體膜82，并且形成由氧化物半導體膜60形成的第2半導體區域。在接觸孔63中埋入導電材料，形成與第1半導體區域電連接的接觸電極62s、62d。
本發明授權半導體器件及其制造方法在權利要求書中公布了：1.半導體器件的制造方法，其特征在于，包括： 在絕緣基板上形成由多晶硅膜形成的第1半導體區域的工序； 在所述第1半導體區域上層疊絕緣膜的工序； 在所述絕緣膜中形成到達所述第1半導體區域的接觸孔的工序； 在形成有所述接觸孔的所述絕緣膜的表面形成氧化物半導體膜的工序； 在所述氧化物半導體膜的表面形成蝕刻掩模的工序； 使用所述蝕刻掩模對所述氧化物半導體膜進行蝕刻，從所述接觸孔除去所述氧化物半導體膜，并且形成由所述氧化物半導體膜形成的第2半導體區域的蝕刻工序；和 在所述接觸孔中埋入導電材料，形成與所述第1半導體區域電連接的接觸電極的工序， 在所述蝕刻工序中，使用含有氫氟酸的蝕刻液進行所述氧化物半導體膜的蝕刻以及從所述接觸孔除去所述氧化物半導體膜。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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