信越半導體株式會社大西邦明獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉信越半導體株式會社申請的專利硅晶圓的蝕刻方法及蝕刻裝置獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115461845B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-09發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202180030950.7，技術領域涉及：H01L21/306；該發明授權硅晶圓的蝕刻方法及蝕刻裝置是由大西邦明設計研發完成，并于2021-03-02向國家知識產權局提交的專利申請。
本硅晶圓的蝕刻方法及蝕刻裝置在說明書摘要公布了：本發明是一種硅晶圓的蝕刻方法，包括：旋轉蝕刻工序，通過供給噴嘴向硅晶圓的正面或背面、或兩面供給酸蝕刻液，使所述硅晶圓旋轉，將所述酸蝕刻液的供給范圍擴大至所述硅晶圓整面而進行酸蝕刻，其特征在于，在所述旋轉蝕刻工序中，將所述硅晶圓的中心軸從保持所述硅晶圓的臺的旋轉軸錯開15mm以上設置而進行蝕刻。由此，本發明的目的在于提供一種能夠改善蝕刻加工余量的硅晶圓的蝕刻方法及蝕刻裝置。
本發明授權硅晶圓的蝕刻方法及蝕刻裝置在權利要求書中公布了：1.一種硅晶圓的蝕刻方法，包括：旋轉蝕刻工序，將硅晶圓的正反翻轉通過供給噴嘴向所述硅晶圓的兩面供給酸蝕刻液，使所述硅晶圓旋轉，將所述酸蝕刻液的供給范圍擴大至所述硅晶圓整面而進行酸蝕刻， 其特征在于， 在所述旋轉蝕刻工序中，將所述硅晶圓的中心軸從保持所述硅晶圓的臺的旋轉軸錯開15mm以上設置而進行蝕刻， 將所述硅晶圓的所述中心軸從保持所述硅晶圓的臺的所述旋轉軸錯開的方向設為，在所述硅晶圓的正面與背面相對于所述硅晶圓中心軸呈點對稱的位置關系。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人信越半導體株式會社，其通訊地址為：日本東京都；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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