晶元光電股份有限公司王心盈獲國家專利權(quán)
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龍圖騰網(wǎng)獲悉晶元光電股份有限公司申請的專利半導體發(fā)光元件獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán),本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予,授權(quán)公告號為:CN113410358B 。
龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-09發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉:該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為:202110285067.4,技術(shù)領(lǐng)域涉及:H10H20/831;該發(fā)明授權(quán)半導體發(fā)光元件是由王心盈;陳昭興;李奇霖;歐震;謝明勛設計研發(fā)完成,并于2021-03-17向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。
本半導體發(fā)光元件在說明書摘要公布了:本發(fā)明公開一種半導體發(fā)光元件,其包括一基板、一第一半導體接觸層位于所述的基板上、一發(fā)光疊層包含一活性層位于所述的第一半導體接觸層的一上表面上、一第二半導體接觸層位于所述的發(fā)光疊層上、一凹陷區(qū)露出所述的第一半導體接觸層的一部分的所述的上表面、以及一透明電極層位于所述的第二半導體接觸層上,其中,所述的基板的面積與所述的透明電極層的面積的比值為2至100,且于操作時,所述的半導體發(fā)光元件接收一操作電流,且所述的操作電流與所述的透明電極層的面積的比值為10mAmm2至1000mAmm2。
本發(fā)明授權(quán)半導體發(fā)光元件在權(quán)利要求書中公布了:1.一種半導體發(fā)光元件,其特征在于,包括: 基板; 半導體疊層,位于該基板上,其中,該半導體疊層包含第一半導體接觸層位于該基板上、發(fā)光疊層包含活性層位于該第一半導體接觸層的上表面上、第二半導體接觸層位于該發(fā)光疊層上、以及凹陷區(qū)露出該第一半導體接觸層的一部分的該上表面; 透明電極層,位于該第二半導體接觸層上; 保護層,位于該基板及該發(fā)光疊層上,包含第一開口及第二開口; 第一電極墊,位于該基板上,填入該第一開口以與該第一半導體接觸層電連接;以及 第二電極墊,位于該基板上,填入該第二開口以與該透明電極層電連接; 其中,該基板的面積與該透明電極層的面積的比值為2至100,且于操作時,該半導體發(fā)光元件接收操作電流,且該操作電流與該透明電極層的面積的比值為10mAmm2至1000mAmm2; 其中,該第一電極墊或該第二電極墊的面積大于或等于該透明電極層的面積。
如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù),可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)@麢?quán)人晶元光電股份有限公司,其通訊地址為:中國臺灣新竹市;或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服,聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。
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