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龍圖騰網獲悉無錫先瞳半導體科技有限公司申請的專利槽型源極的屏蔽柵溝槽型場效應晶體管及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114171579B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-09發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202111463405.5，技術領域涉及：H10D62/10；該發明授權槽型源極的屏蔽柵溝槽型場效應晶體管及其制備方法是由張子敏;王宇澄;虞國新;吳飛;鐘軍滿設計研發完成，并于2021-12-02向國家知識產權局提交的專利申請。

本槽型源極的屏蔽柵溝槽型場效應晶體管及其制備方法在說明書摘要公布了：本申請是關于一種槽型源極的屏蔽柵溝槽型場效應晶體管，包括：襯底區、漂移區、基體區、N型源區、屏蔽柵、控制柵、絕緣層、槽型源極、漏極以及金屬柵極；漂移區與襯底區相接，基體區和N型源區依次設置在漂移區上方；控制柵和屏蔽柵由上至下依次設置在漂移區的側方，并通過絕緣層分別與漂移區、基體區和N型源區相接；槽型源極包括水平源極部和豎直源極部，豎直源極部相接在水平源極部的一端，形成縱截面呈L型的源極；水平源極部設置在N型源區上方，豎直源極部與N型源區和基體區的側面均相接，使得N型源區的拐角與槽型源極的拐角相貼合；漏極設置在襯底區下方；金屬柵極設在控制柵上方。本申請提供的方案，能夠提高器件的雪崩能力。

本發明授權槽型源極的屏蔽柵溝槽型場效應晶體管及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種槽型源極的屏蔽柵溝槽型場效應晶體管，其特征在于，包括： 襯底區1、漂移區2、基體區3、N型源區4、屏蔽柵5、控制柵6、絕緣層7、槽型源極8、漏極9以及金屬柵極10； 所述漂移區2與所述襯底區1相接，以所述襯底區1指向所述漂移區2的方向為上方，所述基體區3和所述N型源區4依次設置在所述漂移區2上方；所述控制柵6和所述屏蔽柵5由上至下依次設置在所述漂移區2的側方，并通過所述絕緣層7分別與所述漂移區2、所述基體區3和所述N型源區4相接； 所述槽型源極8包括水平源極部和豎直源極部，所述豎直源極部相接在所述水平源極部的一端，形成縱截面呈L型的源極；所述水平源極部設置在所述N型源區4上方，所述豎直源極部與所述N型源區4和所述基體區3的側面均相接，使得所述N型源區4的拐角與所述槽型源極8的拐角相貼合； 所述漏極9設置在所述襯底區下方；所述金屬柵極10設在所述控制柵上方； 還包括：N型補償區11； 所述N型補償區11設置在所述槽型源極8與所述漂移區2之間，所述N型補償區11的頂面與所述豎直源極部相接觸，所述N型補償區11的底面與所述漂移區相接觸，所述N型補償區11的一個側面與所述基體區3相接觸。

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