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龍圖騰網(wǎng)獲悉廈門(mén)智多晶科技有限公司申請(qǐng)的專(zhuān)利同時(shí)選中多個(gè)地址的加強(qiáng)型FPGA SRAM陣列配置方法獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專(zhuān)利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專(zhuān)利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN114758697B 。

龍圖騰網(wǎng)通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-09發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專(zhuān)利申請(qǐng)?zhí)?專(zhuān)利號(hào)為：202210198019.6，技術(shù)領(lǐng)域涉及：G11C11/41；該發(fā)明授權(quán)同時(shí)選中多個(gè)地址的加強(qiáng)型FPGA SRAM陣列配置方法是由蔡旭偉;王黎明;韋嶔;程顯志;賈紅設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2022-03-01向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專(zhuān)利申請(qǐng)。

本同時(shí)選中多個(gè)地址的加強(qiáng)型FPGA SRAM陣列配置方法在說(shuō)明書(shū)摘要公布了：本發(fā)明涉及一種同時(shí)選中多個(gè)地址的加強(qiáng)型FPGASRAM陣列配置方法，包括：確定SRAM陣列的加強(qiáng)型寫(xiě)操作起始地址；采用加強(qiáng)型寫(xiě)操作在第一地址部寫(xiě)入對(duì)應(yīng)的配置數(shù)據(jù)；采用普通寫(xiě)操作在第二地址部寫(xiě)入對(duì)應(yīng)的配置數(shù)據(jù)；其中，在SRAM陣列中，加強(qiáng)型寫(xiě)操作起始地址以及其之后的地址為第一地址部，加強(qiáng)型寫(xiě)操作起始地址之前的地址為第二地址部。本發(fā)明的同時(shí)選中多個(gè)地址的加強(qiáng)型FPGASRAM陣列配置方法，采用加強(qiáng)型寫(xiě)操作方法，在不改變現(xiàn)有電路的情況下，在大規(guī)模SRAM陣列下，確保遠(yuǎn)離位線驅(qū)動(dòng)電路的SRAM單元也可正確寫(xiě)入配置數(shù)據(jù)。

本發(fā)明授權(quán)同時(shí)選中多個(gè)地址的加強(qiáng)型FPGA SRAM陣列配置方法在權(quán)利要求書(shū)中公布了：1.一種同時(shí)選中多個(gè)地址的加強(qiáng)型FPGASRAM陣列配置方法，其特征在于，包括： 確定SRAM陣列的加強(qiáng)型寫(xiě)操作起始地址；包括：通過(guò)實(shí)驗(yàn)測(cè)試得到所述SRAM陣列中無(wú)法寫(xiě)入配置數(shù)據(jù)的起始地址；按照預(yù)設(shè)長(zhǎng)度選取該起始地址之前的地址作為所述加強(qiáng)型寫(xiě)操作起始地址； 采用加強(qiáng)型寫(xiě)操作在第一地址部寫(xiě)入對(duì)應(yīng)的配置數(shù)據(jù)；包括： 步驟1：選取所述第一地址部的當(dāng)前寫(xiě)入地址，記為addr[k]； 步驟2：獲取所述當(dāng)前寫(xiě)入地址的配置數(shù)據(jù)，并將所述配置數(shù)據(jù)依次寫(xiě)入與當(dāng)前寫(xiě)入地址相鄰的若干個(gè)地址中，所述相鄰的若干個(gè)地址位于所述當(dāng)前寫(xiě)入地址之前； 步驟3：同時(shí)打開(kāi)所述當(dāng)前寫(xiě)入地址和所述相鄰的若干個(gè)地址，將所述配置數(shù)據(jù)寫(xiě)入所述當(dāng)前寫(xiě)入地址中； 步驟4：令k=k-1，重復(fù)步驟1-步驟4，直到所述加強(qiáng)型寫(xiě)操作起始地址的配置數(shù)據(jù)寫(xiě)入，所述第一地址部的所有地址對(duì)應(yīng)的配置數(shù)據(jù)寫(xiě)入完成； 在對(duì)所述第一地址部進(jìn)行寫(xiě)操作時(shí)，選取距離位線驅(qū)動(dòng)電路最遠(yuǎn)的地址作為第一個(gè)寫(xiě)入地址進(jìn)行所述加強(qiáng)型寫(xiě)操作寫(xiě)入對(duì)應(yīng)的配置數(shù)據(jù)； 采用普通寫(xiě)操作在第二地址部寫(xiě)入對(duì)應(yīng)的配置數(shù)據(jù)； 其中，在所述SRAM陣列中，所述加強(qiáng)型寫(xiě)操作起始地址以及其之后的地址為所述第一地址部，所述加強(qiáng)型寫(xiě)操作起始地址之前的地址為所述第二地址部。

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