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龍圖騰網(wǎng)獲悉中國(guó)科學(xué)院上海硅酸鹽研究所申請(qǐng)的專利一種高抗彎強(qiáng)度高Q值微波介質(zhì)材料及其制備方法獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN116730733B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-09發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202210209218.2，技術(shù)領(lǐng)域涉及：C04B35/80；該發(fā)明授權(quán)一種高抗彎強(qiáng)度高Q值微波介質(zhì)材料及其制備方法是由林慧興;王思民;何飛;姜少虎;彭海益;任海深設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2022-03-03向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本一種高抗彎強(qiáng)度高Q值微波介質(zhì)材料及其制備方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明涉及一種高抗彎強(qiáng)度高Q值微波介質(zhì)材料及其制備方法。所述微波介質(zhì)材料的化學(xué)組成包括：鈮酸鎂基體、以及分散在鈮酸鎂基體中的片狀氧化物作為第二相；所述片狀氧化物相為片狀氧化鋁、片狀氧化錫、片狀氧化硅、片狀氧化鋯、片狀氧化鈦、片狀氧化鎢中的至少一種，0.1≤x≤5。

本發(fā)明授權(quán)一種高抗彎強(qiáng)度高Q值微波介質(zhì)材料及其制備方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種具有高抗彎強(qiáng)度高Q值的微波介質(zhì)材料的制備方法，其特征在于，所述微波介質(zhì)材料的化學(xué)組成為鈮酸鎂基體、以及分散在鈮酸鎂基體中的片狀氧化物作為第二相；所述片狀氧化物相為片狀氧化鋁，片狀氧化鋁的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為xwt%，x的取值范圍為0.1≤x＜1；所述片狀氧化鋁的長(zhǎng)度為10～18μm，長(zhǎng)寬比為（6～9）：1，厚度為800nm～3μm；所述鈮酸鎂基體中Mg元素和Nb元素的摩爾比為（1.03～1.05）：2； 所述具有高抗彎強(qiáng)度高Q值的微波介質(zhì)材料的制備方法包括：將鈮酸鎂粉體和片狀氧化鋁粉體按照微波介質(zhì)材料的化學(xué)組成稱量并混合，再經(jīng)造粒和成型后，得到素坯；將所得素坯先以5～10℃分鐘的升溫速率升溫至1250～1300℃下保溫4～6小時(shí)，再以1～5℃分鐘的降溫速率降溫至1000～1100℃下保溫4～6小時(shí)，得到所述具有高抗彎強(qiáng)度高Q值的微波介質(zhì)材料。

如需購(gòu)買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請(qǐng)人或?qū)＠麢?quán)人中國(guó)科學(xué)院上海硅酸鹽研究所，其通訊地址為：200050 上海市長(zhǎng)寧區(qū)定西路1295號(hào)；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。