廈門紫硅半導體科技有限公司江長福獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉廈門紫硅半導體科技有限公司申請的專利一種低導通電阻的SiC基MOSFET器件及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115117145B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-09發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210514739.9，技術領域涉及：H10D62/10；該發明授權一種低導通電阻的SiC基MOSFET器件及其制備方法是由江長福;周賢權設計研發完成，并于2022-05-12向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種低導通電阻的SiC基MOSFET器件及其制備方法在說明書摘要公布了：本發明公開了一種低導通電阻的SiC基MOSFET器件及其制備方法，其漂移層包括nx第一漂移層和設于nx第一漂移層上的n?第二漂移層，nx第一漂移層的摻雜濃度高于n?第二漂移層。本發明的具有分段摻雜外延結構的SiC基MOSFET器件，利用遠離主結區的高摻雜漂移層降低器件的串聯電阻，并利用主結區域的低摻雜層提高p型屏蔽層的保護作用，降低器件的米勒電荷，以提高SiC基MOSFET器件的開關轉換能力。
本發明授權一種低導通電阻的SiC基MOSFET器件及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種低導通電阻的SiC基MOSFET器件，其特征在于：由下至上包括漏電極接觸、n++型SiC襯底基片和SiC外延層，還包括設于SiC外延層上方的柵介質、柵電極接觸、內絕緣物質、源電極接觸和源極pad金屬層；SiC外延層由下至上包括n+型緩沖層和漂移層，漂移層包括設于n+型緩沖層上的nx第一漂移層和設于nx第一漂移層上的n-第二漂移層，n-第二漂移層之內設有pwell區域，pwell區域之內設有n+型摻雜區和p+型摻雜區；其中， nx第一漂移層和n-第二漂移層為同質材料，摻入的雜質相同；nx第一漂移層的摻雜濃度高于n-第二漂移層，且n-第二漂移層的厚度占比整個漂移層厚度的20%-50%；pwell區域的底部與n-第二漂移層的底部的間距是n-第二漂移層厚度的80-90%。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人廈門紫硅半導體科技有限公司，其通訊地址為：361000 福建省廈門市湖里區創新創業園偉業南樓301E室；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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