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龍圖騰網獲悉西安電子科技大學申請的專利復合漏極功率晶體管獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114937698B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-09發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210587495.7，技術領域涉及：H10D30/47；該發明授權復合漏極功率晶體管是由毛維;裴晨;楊翠;彭國良;杜鳴;馬佩軍;何曉寧;張進成;郝躍設計研發完成，并于2022-05-25向國家知識產權局提交的專利申請。

本復合漏極功率晶體管在說明書摘要公布了：本發明公開了一種復合漏極功率晶體管及其制作方法，主要解決傳統器件開啟壓降高，雙向阻斷能力有限的問題，其包括：襯底、過渡層、勢壘層、鈍化層，鈍化層左、右側分別為源極和歐姆電極，歐姆電極左側從右至左依次為M個陽極塊、N個肖特基電極、K個P型陣列塊，歐姆電極、P型陣列塊、肖特基電極和陽極塊上側為互連金屬，源極與P型陣列塊之間的鈍化層內開有窗口，其內部依次設有P型塊、i?GaN塊、柵極，該源極、柵極與歐姆電極、肖特基電極和陽極塊構成HEMT結構，該肖特基電極和陽極塊與其接觸的勢壘層和鈍化層形成二極管結構。本發明降低了開啟壓降和反向泄露電流，提高了雙向阻斷能力，可用于電力電子系統。

本發明授權復合漏極功率晶體管在權利要求書中公布了：1.一種復合漏極功率晶體管，自下而上包括：襯底（1）、過渡層（2）、勢壘層（3）、鈍化層（4），其特征在于： 所述勢壘層（3）上部的鈍化層（4）左側設置有源極槽（5），該源極槽內部設置有源極（7）； 所述鈍化層（4）的最右側設置有歐姆凹槽（6），該凹槽內部設置有歐姆電極（8），其底部與勢壘層（3）的上表面接觸； 所述歐姆電極（8）的左側從右到左依次設有M個陽極塊（14）、N個肖特基電極（13）、K個P型陣列塊（10），陽極塊（14）和肖特基電極（13）的下部位于過渡層（2）中，P型陣列塊（10）的下表面與勢壘層（3）的上表面接觸； 所述歐姆電極（8）、P型陣列塊（10）、肖特基電極（13）和陽極塊（14）的上表面設有互連金屬（15），用于連接歐姆電極（8）、P型陣列塊（10）、肖特基電極（13）和陽極塊（14），以保持這些部分的等電位； 所述源極（7）與P型陣列塊（10）之間的鈍化層（4）內部開有窗口（16），其內部自下而上依次設有P型塊（17）、i-GaN塊（18）、柵極（19）； 所述源極（7）、柵極（19）與右側的歐姆電極（8）、肖特基電極（13）和陽極塊（14）構成HEMT結構，肖特基電極（13）和陽極塊（14）與其接觸的勢壘層（3）和鈍化層（4）之間形成二極管結構，HEMT與二極管復合形成功率開關器件。

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