鎵特半導體科技(上海)有限公司王穎慧獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉鎵特半導體科技(上海)有限公司申請的專利氮化鎵襯底中M面的確認方法及氮化鎵襯底的切割方法獲國家發明授權專利權,本發明授權專利權由國家知識產權局授予,授權公告號為:CN114999952B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-09發布的發明授權授權公告中獲悉:該發明授權的專利申請號/專利號為:202210654592.3,技術領域涉及:H01L21/66;該發明授權氮化鎵襯底中M面的確認方法及氮化鎵襯底的切割方法是由王穎慧;羅曉菊;唐金鳳設計研發完成,并于2022-06-10向國家知識產權局提交的專利申請。
本氮化鎵襯底中M面的確認方法及氮化鎵襯底的切割方法在說明書摘要公布了:本申請提供一種氮化鎵襯底中M面的確認方法及氮化鎵襯底的切割方法,包括:提供氮化鎵襯底;于所述氮化鎵襯底的上表面選擇掃描點;基于所述掃描點對所述氮化鎵襯底的預設晶面進行多次搖擺曲線掃描,以得到多個Omega曲線及與多個Omega曲線的峰值對應的多個掃描角度;對所述氮化鎵襯底的W面進行360°Phi掃描,以得到多個與M面對應的Phi值;基于多個所述掃描角度中的最大掃描角度、最小掃描角度及多個所述Phi值,確定所述氮化鎵襯底中與所述斜切角最近的M面及與所述斜切角最遠的M面。上述氮化鎵襯底中M面的確認方法中,可以準確確認氮化鎵襯底中與斜切角最近的M面及與斜切角最遠的M面。
本發明授權氮化鎵襯底中M面的確認方法及氮化鎵襯底的切割方法在權利要求書中公布了:1.一種氮化鎵襯底中M面的確認方法,其特征在于,包括: 提供氮化鎵襯底; 于所述氮化鎵襯底的上表面選擇掃描點; 基于所述掃描點對所述氮化鎵襯底的預設晶面進行多次搖擺曲線掃描,以得到多個Omega曲線及與多個Omega曲線的峰值對應的多個掃描角度; 對所述氮化鎵襯底的W面進行360°Phi掃描,以得到多個與M面對應的Phi值; 基于多個所述掃描角度中的最大掃描角度、最小掃描角度及多個所述Phi值,確定所述氮化鎵襯底中與斜切角最近的M面及與所述斜切角最遠的M面; 其中,所述最大掃描角度所對應的所述氮化鎵襯底在XY平面內的旋轉角度記為第一角度,所述最小掃描角度所對應的所述氮化鎵襯底在XY平面內的旋轉角度記為第二角度;基于多個所述掃描角度中的最大掃描角度、最小掃描角度及多個所述Phi值,確定所述氮化鎵襯底中與所述斜切角最近的M面及與所述斜切角最遠的M面,包括: 將所述第一角度與多個所述Phi值進行比較,與所述第一角度的差值的絕對值小于或等于預設值的Phi值所對應的M面,即為氮化鎵襯底上離斜切角最遠的M面; 將所述第二角度與多個所述Phi值進行比較,與所述第二角度的差值的絕對值小于或等于所述預設值的Phi值所對應的M面,即為氮化鎵襯底上離斜切角最近的M面。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術,可聯系本專利的申請人或專利權人鎵特半導體科技(上海)有限公司,其通訊地址為:200135 上海市浦東新區自由貿易試驗區臨港新片區新城路2號23幢N1128室;或者聯系龍圖騰網官方客服,聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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