華進半導體封裝先導技術研發中心有限公司徐成獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉華進半導體封裝先導技術研發中心有限公司申請的專利一種扇出封裝結構及其形成方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115050729B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-09發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210736031.8，技術領域涉及：H01L25/07；該發明授權一種扇出封裝結構及其形成方法是由徐成;孫鵬;曹立強設計研發完成，并于2022-06-27向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種扇出封裝結構及其形成方法在說明書摘要公布了：本發明涉及一種扇出封裝結構，包括：金屬互連結構，其包括多個第一絕緣層和位于多個第一絕緣層中的多個金屬重布線層，且多個所述金屬重布線層之間電連接；金屬層，其布置在所述金屬互連結構的側面，且與最上層的金屬重布線層連接；第二絕緣層，其位于所述金屬互連結構的正面；凸點下金屬化層，其與所述金屬重布線層電連接；芯片，其布置在所述凸點下金屬化層上；底填膠，其布置在芯片與第二絕緣層之間；塑封層，其將金屬互連結構至芯片塑封；以及焊球，其布置在金屬互連結構的背面和所述金屬層上。
本發明授權一種扇出封裝結構及其形成方法在權利要求書中公布了：1.一種扇出封裝結構，包括： 金屬互連結構，其包括多個第一絕緣層和位于多個第一絕緣層中的多個金屬重布線層，且多個所述金屬重布線層之間電連接； 金屬層，其布置在所述金屬互連結構的側面，且與最上層的金屬重布線層連接；所述金屬層覆蓋所述第一絕緣層的邊緣； 第二絕緣層，其位于所述金屬互連結構的正面；所述第二絕緣層覆蓋所述金屬互連結構的正面和部分所述金屬層； 凸點下金屬化層，其與所述金屬重布線層電連接； 芯片，其布置在所述凸點下金屬化層上； 底填膠，其布置在芯片與第二絕緣層之間； 塑封層，其將金屬互連結構至芯片塑封；以及 焊球，其布置在金屬互連結構的背面和所述金屬層上。
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