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龍圖騰網獲悉商丘師范學院申請的專利一種銅鋅錫硫微納二級陣列結構、制備方法及其應用獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115440836B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-09發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202211082963.1，技術領域涉及：H10F77/12；該發明授權一種銅鋅錫硫微納二級陣列結構、制備方法及其應用是由張良;李立強;曹譯恒;張佳琪;賀敬巖設計研發完成，并于2022-09-06向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種銅鋅錫硫微納二級陣列結構、制備方法及其應用在說明書摘要公布了：本發明公開了一種銅鋅錫硫微納二級陣列結構，其由規則排列的微米級半導體球冠、和在球冠表面輻射狀生長的半導體納米管構成，所述半導體為具有單晶結構的銅鋅錫硫；所述規則排列的微米級球冠的直徑為0.05?50μm，球冠之間的間隔為0.01?100μm。微納二級陣列結構中輻射狀生長的半導體納米管具有較大的比表面積，對光的吸收較納米線陣列有明顯的增強；同時由于微米級半導體球冠外側納米管呈輻射狀生長，使得從各個角度入射的光線都能夠得到很好的吸收，降低了微納二級陣列對光線入射角度的敏感性。本發明微納二級陣列結構在光伏領域應用時能夠增大太陽能電池對光的吸收，降低太陽能電池成本，提高太陽能電池光電轉換效率。

本發明授權一種銅鋅錫硫微納二級陣列結構、制備方法及其應用在權利要求書中公布了：1.一種銅鋅錫硫微納二級陣列結構的制備方法，其特征在于，所述銅鋅錫硫微納二級陣列結構由規則排列的微米級半導體球冠、和在球冠表面輻射狀生長的半導體納米管構成； 所述半導體為具有單晶結構的銅鋅錫硫；所述規則排列的微米級球冠的直徑為0.05-50μm，球冠之間的間隔為0.01-100μm； 所述輻射狀生長的半導體納米管的外徑為10nm-500nm，長度為20nm-50μm； 所述銅鋅錫硫微納二級陣列結構經下述步驟制備獲得： 1）采用電化學沉積法，在潔凈的襯底上沉積導電薄膜； 2）采用電化學沉積法，在導電薄膜上沉積氧化鋅薄膜，然后放入硫化氫、或氧氣-硫化氫混合氣體中，在0-200℃條件下放置1-500h，使氧化鋅變為ZnS微納二級陣列； 3）采用溶劑熱法將ZnS微納二級陣列中的部分鋅替換為銅和錫，再經過硫化即得；具體為：配制含有銅、錫兩種離子的三甘醇前驅液，然后將三甘醇前驅液和步驟2）的產物放入反應釜中，反應釜密封后在10-200℃反應0.5-50h；反應結束后將產物再置于H2S氣氛中，在400-500℃條件下加熱0.1-50h。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人商丘師范學院，其通訊地址為：476000 河南省商丘市平原中路55號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。