英作納米科技(北京)有限公司郭敏獲國(guó)家專利權(quán)
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龍圖騰網(wǎng)獲悉英作納米科技(北京)有限公司申請(qǐng)的專利一種原子層沉積方法獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán),本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予,授權(quán)公告號(hào)為:CN117821941B 。
龍圖騰網(wǎng)通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-09發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉:該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為:202211195472.8,技術(shù)領(lǐng)域涉及:C23C16/455;該發(fā)明授權(quán)一種原子層沉積方法是由郭敏;陳宇林;王東君設(shè)計(jì)研發(fā)完成,并于2022-09-29向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。
本一種原子層沉積方法在說(shuō)明書摘要公布了:本發(fā)明是一種可以實(shí)現(xiàn)樣片在每個(gè)單次循環(huán)時(shí)的單面原子層沉積方法。通過(guò)控制樣片兩面的極性和前驅(qū)體所帶電荷,可以有選擇的將前驅(qū)體吸附到樣片的指定面。為了實(shí)現(xiàn)單次循環(huán)時(shí),樣片指定面的單面原子層沉積,本發(fā)明不需要對(duì)樣片進(jìn)行粘貼、涂膠、光刻、刻蝕、清洗等操作。通過(guò)本發(fā)明的方法可以很好地解決原子層沉積背面繞鍍問(wèn)題。在原子層沉積過(guò)程中,實(shí)現(xiàn)樣片單面原子層沉積,可以在反應(yīng)過(guò)程中隨時(shí)切換樣片需要沉積的那一面,一次沉積過(guò)程就可以根據(jù)鍍膜需求,實(shí)現(xiàn)樣片兩面不同厚度、不同材料的沉積。
本發(fā)明授權(quán)一種原子層沉積方法在權(quán)利要求書中公布了:1.一種原子層沉積方法,其特征在于,所述方法應(yīng)用于原子層沉積設(shè)備的反應(yīng)腔體內(nèi),所述反應(yīng)腔體內(nèi)設(shè)有一個(gè)初始狀態(tài)比較均勻的電場(chǎng),所述反應(yīng)腔體內(nèi)放置有樣片,所述樣片沿垂直電場(chǎng)方向放置在所述電場(chǎng)中;所述方法包括: 步驟一:樣片在電場(chǎng)的作用下產(chǎn)生極化,從而使得樣片的兩面帶上不同的電荷,一面帶正電荷一面帶負(fù)電荷; 步驟二:將帶有電荷的第一前驅(qū)體通入所述反應(yīng)腔體,帶有電荷的第一前驅(qū)體化學(xué)吸附于所述樣片的帶相反電荷的那面; 步驟三:抽走未被吸附的第一前驅(qū)體; 步驟四:將與第一前驅(qū)體所帶電荷相同的第二前驅(qū)體通入所述反應(yīng)腔體,或者改變電場(chǎng)方向?qū)⑴c第一前驅(qū)體所帶電荷相反的第二前驅(qū)體通入所述反應(yīng)腔體,或者關(guān)閉電場(chǎng)將第二前驅(qū)體通入所述反應(yīng)腔體,所述第二前驅(qū)體和所述第一前驅(qū)體發(fā)生化學(xué)反應(yīng); 步驟五:抽走未被吸附的第二前驅(qū)體及反應(yīng)副產(chǎn)物; 步驟一至步驟五是一個(gè)單次循環(huán),樣片在沉積過(guò)程中,每一個(gè)單次循環(huán)都可以實(shí)現(xiàn)單面原子層沉積,重復(fù)執(zhí)行步驟一至步驟五,直至在所述樣片單面上形成預(yù)設(shè)薄膜為止; 在樣片一個(gè)單面上形成預(yù)設(shè)薄膜后,改變電場(chǎng)方向,使樣片兩面所帶的電荷與未改變電場(chǎng)方向之前所帶的電荷相反,采用上述同樣的方法,通入第三前驅(qū)體和第四前驅(qū)體,將與第一前驅(qū)體所帶電荷相同的第三前驅(qū)體在步驟二中通入,化學(xué)吸附到樣片的另一個(gè)單面上,將第四前驅(qū)體在步驟四中通入,與第三前驅(qū)體發(fā)生化學(xué)反應(yīng),通過(guò)若干次循環(huán)后,達(dá)到預(yù)設(shè)的薄膜厚度; 或者,在樣片一個(gè)單面上形成預(yù)設(shè)薄膜后,維持電場(chǎng)方向不變,采用上述同樣的方法,通入第三前驅(qū)體和第四前驅(qū)體,將與第一前驅(qū)體所帶電荷相反的第三前驅(qū)體在步驟二中通入,化學(xué)吸附到樣片的另一個(gè)單面上,將第四前驅(qū)體在步驟四中通入,與第三前驅(qū)體發(fā)生化學(xué)反應(yīng),通過(guò)若干次循環(huán)后,達(dá)到預(yù)設(shè)的薄膜厚度; 所述第一前驅(qū)體、第三前驅(qū)體采用電離、電場(chǎng)極化或靜電感應(yīng)的方法帶上電荷。
如需購(gòu)買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù),可聯(lián)系本專利的申請(qǐng)人或?qū)@麢?quán)人英作納米科技(北京)有限公司,其通訊地址為:100080 北京市海淀區(qū)清河嘉園東區(qū)甲1號(hào)樓五層501-124號(hào);或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服,聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。
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