圓益QNC股份有限公司劉鈗在獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉圓益QNC股份有限公司申請的專利半導體設備氟化對象物氟化加工方法及氟化加工的部件獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN116411254B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-09發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202211285920.3，技術領域涉及：C23C16/30；該發明授權半導體設備氟化對象物氟化加工方法及氟化加工的部件是由劉鈗在;吳承泳;崔恩永;張朱希;崔素瑛;曹漺縣設計研發完成，并于2022-10-20向國家知識產權局提交的專利申請。
本半導體設備氟化對象物氟化加工方法及氟化加工的部件在說明書摘要公布了：本發明涉及一種半導體設備的氟化對象物的氟化加工方法及通過此方法來氟化加工的部件，即，能夠通過將氟化氣體激發成等離子體來氟化氟化對象物，從而實現高密度及高強度，同時可以在氟化涂覆時顯著減少等離子體污染粒子。
本發明授權半導體設備氟化對象物氟化加工方法及氟化加工的部件在權利要求書中公布了：1.一種氟化對象物的氟化加工方法，其用于氟化氟化對象物表面，在該表面通過大氣等離子噴涂法形成有Y2O3涂層，其特征在于，包括： 第一步驟，在具有等離子體反應空間的處理腔室內放置氟化對象物； 第二步驟，在上述處理腔室中導入使用氣體，上述使用氣體為作為放電氣體的Ar、作為非氟反應氣體的O2和作為含氟反應氣體的CF4的混合氣體； 第三步驟，將向上述處理腔室中所導入的上述混合氣體引入到上述等離子體反應空間中；以及 第四步驟，通過向上述處理腔室施加高頻功率，來在上述等離子體反應空間中生成等離子體，并用所生成的含氟自由基氣體及等離子體來氟化上述氟化對象物的表面，從而形成氟化改性層， 在導入上述混合氣體的上述第二步驟中，Ar、O2、CF4的流量比（Ar:O2:CF4）為0.1～60:0.1～10:0.1～10， 在上述氟化步驟中，高頻電源的頻率為1MHz～100MHz，高頻功率為300W～400W， 在上述第一步驟至第四步驟中，處理腔室內的氣氛由大氣壓氣氛組成， 上述氟化對象物的氟化涂層的形成厚度為0.001μm～10μm， 在形成上述氟化改性層的表面層的氟氧化釔中，F成分為1原子百分比～2原子百分比。
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