佛山市國星半導體技術有限公司鄭洪仿獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉佛山市國星半導體技術有限公司申請的專利一種低翹曲度鍵合片的鍵合方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115621403B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-09發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202211314579.X，技術領域涉及：H10H20/857；該發明授權一種低翹曲度鍵合片的鍵合方法是由鄭洪仿;曠明勝;陳慧秋設計研發完成，并于2022-10-25向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種低翹曲度鍵合片的鍵合方法在說明書摘要公布了：本發明公開了一種低翹曲度鍵合片的鍵合方法，涉及半導體制造領域，包括以下步驟：在外延層、硅襯底的預鍵合面形成第一、第二鍵合材料，對準后置入具有弧面的石墨盤中進行鍵合；使其升溫至第一溫度并對其施加第一壓力，保持第一時間以使鍵合材料熔化融合；使溫度從第一溫度按溫度差值以等差數列的形式分段遞減降至預設溫度，同時將壓力從第一壓力按壓力差值以等差數列的形式分段遞減降至預設壓力，且每階段按照預設時間值保持一段時間。本發明的方法通過使用具有弧面的石墨盤進行鍵合，而且控制溫度與壓力階段性同時降低且每階段保持一定時間，能減小鍵合結構中的應力，降低鍵合結構的翹曲度，獲得具有低翹曲度的鍵合片。
本發明授權一種低翹曲度鍵合片的鍵合方法在權利要求書中公布了：1.一種低翹曲度鍵合片的鍵合方法，其特征在于，包括以下步驟： 提供硅襯底和藍寶石襯底，所述藍寶石襯底上生長有外延層； 在所述外延層的預鍵合面形成第一鍵合材料，在所述硅襯底的預鍵合面形成第二鍵合材料； 將所述第一鍵合材料與所述第二鍵合材料對準貼合組成預鍵合結構，置入具有一定弧面的石墨盤中進行鍵合處理； 在鍵合處理的過程中，使所述預鍵合結構升溫至第一溫度并對所述預鍵合結構施加第一壓力，保持第一時間以使所述第一鍵合材料與所述第二鍵合材料熔化融合形成鍵合層； 所述鍵合層形成后，使所述預鍵合結構的溫度從所述第一溫度按溫度差值以等差數列的形式分段遞減降至預設溫度，同時對所述預鍵合結構施加的壓力從所述第一壓力按壓力差值以等差數列的形式分段遞減降至預設壓力，且每階段按照預設時間值保持一段時間，獲得鍵合結構。
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