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龍圖騰網獲悉合肥工業大學申請的專利集成前饋矯正的超低遲滯開關式壓電陶瓷獨立驅動方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115967301B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-09發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202211591471.5，技術領域涉及：H02N2/06；該發明授權集成前饋矯正的超低遲滯開關式壓電陶瓷獨立驅動方法是由張連生;郝爽;張鵬程;黃強先;程榮俊;李紅莉設計研發完成，并于2022-12-12向國家知識產權局提交的專利申請。

本集成前饋矯正的超低遲滯開關式壓電陶瓷獨立驅動方法在說明書摘要公布了：本發明公開了一種集成前饋矯正的超低遲滯開關式壓電陶瓷獨立驅動方法，是在由單片機控制的開關式獨立驅動的基礎上，以最簡單的二次多項式為遲滯模型來擬合獨立驅動下的遲滯曲線，之后以遲滯逆模型也就是二次函數的反函數作為輸入代替線性輸入的電壓，即可獲得線形的輸出響應曲線。本發明能在分時獨立驅動的基礎上大幅度減小遲滯至0.82％，從而能改善使用壓電致動器作為驅動的裝置的非線性，并能提高驅動精度。

本發明授權集成前饋矯正的超低遲滯開關式壓電陶瓷獨立驅動方法在權利要求書中公布了：1.一種集成前饋矯正的超低遲滯開關式壓電陶瓷獨立驅動方法，其特征在于，是應用于由單片機MCU、兩個高壓運放，開關組和壓電致動器構成的控制系統中，所述壓電致動器由N層壓電陶瓷層組成，開關組由N個開關組成；所述壓電陶瓷驅動方法包括； 步驟1：升壓階段的驅動： 步驟1.1、在對第i層壓電陶瓷層進行上升驅動之前，所述單片機MCU先利用一個高壓運放對第i-1層壓電陶瓷層進行上升驅動，并控制第i層壓電陶瓷層對應的開關閉合；i屬于[2,N]； 步驟1.2：所述單片機MCU發出線性遞增的驅動信號，并經過另一個高壓運放對部分驅動信號進行升壓處理，再斷開第i-1層壓電陶瓷層對應的開關后，將升壓后的驅動信號發送給第i層壓電陶瓷層； 步驟1.3：第i層壓電陶瓷層根據升壓后的驅動信號進行升壓，并在升壓結束前閉合第i+1層壓電陶瓷層對應的開關； 步驟1.4：所述單片機MCU將參與第i-1層壓電陶瓷驅動的高壓運放的輸出清零；并繼續用另一高壓驅動器對第i層壓電陶瓷層進行升壓驅動，從而完成第i層壓電陶瓷層的上升驅動； 步驟1.5：將i+1賦值給i后，返回步驟1.1順序執行，直到iN為止，從而完成N層壓電陶瓷層的升壓； 步驟2：將所述單片機MCU發出線性遞增的驅動信號改為線性遞減的驅動信號后，按照步驟1的過程，對N層壓電陶瓷層完成降壓階段的驅動； 步驟3：繪制壓電致動器的遲滯曲線； 步驟4：根據壓電致動器的對稱性，每一層壓電陶瓷層的曲率均相同，選取利用前饋矯正算法對任一層的遲滯曲線進行擬合，得到輸出位移與輸入電壓的關系式； 步驟5：在輸出位移的范圍內依次將一組線性增長的等差數列輸入關系式中，并輸出一組曲線增長的電壓值； 步驟6：在輸出位移的范圍內依次將一組線性遞減的等差數列輸入關系式中，并輸出一組曲線遞減的電壓值； 步驟7：所述單片機MCU根據曲線增長的電壓值，得到曲線遞增的驅動信號，從而按照步驟1的過程，對N層壓電陶瓷層進行升壓階段的驅動，以降低壓電致動器的升壓遲滯； 步驟8：所述單片機MCU根據曲線遞減的電壓值，得到曲線遞減的驅動信號，從而按照步驟1的過程，對N層壓電陶瓷層進行降壓階段的驅動，以降低壓電致動器的降壓遲滯。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人合肥工業大學，其通訊地址為：230009 安徽省合肥市包河區屯溪路193號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。