合肥工業大學張俊喜獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉合肥工業大學申請的專利一種金納米顆粒島陣列表面等離激元共振腔及其制備方法獲國家發明授權專利權,本發明授權專利權由國家知識產權局授予,授權公告號為:CN115933026B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-09發布的發明授權授權公告中獲悉:該發明授權的專利申請號/專利號為:202310013785.5,技術領域涉及:G02B5/00;該發明授權一種金納米顆粒島陣列表面等離激元共振腔及其制備方法是由張俊喜;王晨;李欣;張維;羅慧雄;王曉超設計研發完成,并于2023-01-05向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種金納米顆粒島陣列表面等離激元共振腔及其制備方法在說明書摘要公布了:本發明公開了一種金納米顆粒島陣列表面等離激元共振腔及其制備方法,金納米顆粒島陣列表面等離激元共振腔包括制備于鋁基底上的多孔結構的氧化鋁模板,以及形成于氧化鋁模板表面的金納米顆粒島陣列層。制備方法以鋁片作為基底,通過兩次陽極氧化處理形成氧化鋁模板,再進行離子濺射在氧化鋁模板表面修飾形成金納米顆粒島陣列。本發明金納米顆粒島陣列表面等離激元共振腔具有良好的性能,制備方法相對于以往的納米棒、納米球等結構的制備方式更加方便快捷。
本發明授權一種金納米顆粒島陣列表面等離激元共振腔及其制備方法在權利要求書中公布了:1.一種金納米顆粒島陣列表面等離激元共振腔,其特征在于,包括制備于鋁基底上的多孔結構的氧化鋁模板,所述氧化鋁模板表面修飾形成有金納米顆粒島陣列層,所述金納米顆粒島陣列層由多個金納米顆粒島呈陣列分布構成,每個金納米顆粒島分別由金納米顆粒堆積而成; 所述氧化鋁模板的每個孔洞周圍分別分布有由若干金納米顆粒島組成的點陣,各個點陣隨孔洞呈陣列分布; 所述點陣為六個金納米顆粒島形成的六角點陣; 所述金納米顆粒島陣列表面等離激元共振腔的制備方法,包括以下步驟: 步驟1、以鋁片作為基底,通過兩次陽極氧化處理,在鋁基底上形成多孔結構的氧化鋁模板; 步驟2、在蒸金環境下對步驟1得到的氧化鋁模板表面進行離子濺射,由此在氧化鋁模板表面修飾形成金納米顆粒島陣列; 步驟1中,將干凈的鋁退火后置于電解槽中,并在電解槽中并加入濃度為0.25~0.35molL的草酸溶液,然后以鋁片為陽極、石墨電極為陰極,在40~50V直流電壓、11~13°C的條件下氧化20~24個小時,完成第一次陽極氧化處理; 接著用酸去除第一次陽極氧化處理后的鋁基底表面形成的氧化層; 最后將去除氧化層后的鋁基底再次置于電解槽中,在電解槽中加入濃度為0.25~0.35molL的草酸溶液,并以鋁片為陽極、石墨電極為陰極,在40~50V直流電壓下、11~13°C的條件下氧化1分10秒,完成第二次陽極氧化,由此在鋁基底上形成多孔結構的氧化鋁模板; 對鋁基底退火時,將鋁基底置于10-3Pa的氣壓條件下、500°C的溫度條件下退火5小時,由此去除鋁基底內部應力。
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