福建省晉華集成電路有限公司葉長福獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉福建省晉華集成電路有限公司申請的專利半導體器件及其形成方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN116190310B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-09發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202310022173.2，技術領域涉及：H01L21/768；該發明授權半導體器件及其形成方法是由葉長福設計研發完成，并于2023-01-06向國家知識產權局提交的專利申請。
本半導體器件及其形成方法在說明書摘要公布了：本申請公開一種半導體器件及其形成方法，其中形成方法包括：提供襯底，所述襯底表面包括向內凹陷的接觸孔，所述接觸孔內形成有連結電路，所述連結電路與所述接觸孔的側壁之間具有間隙，所述連結電路包含有金屬金屬氮化物摻雜多晶硅；對所述接觸孔進行至少一次氧化處理，以使所述接觸孔表面的硅以及所述連結電路側壁的硅形成硅氧化物；形成保形覆蓋所述連結電路、所述接觸孔和所述襯底表面的隔離層。本申請能夠降低殘留的硅化物對相應半導體器件性能的影響，優化所得半導體器件的性能，提高所得半導體器件的穩定性。
本發明授權半導體器件及其形成方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體器件的形成方法，其特征在于，所述形成方法包括： 提供襯底，所述襯底表面包括向內凹陷的接觸孔，所述接觸孔內形成有連結電路，所述連結電路與所述接觸孔的側壁之間具有間隙，所述連結電路包含有金屬、金屬氮化物和摻雜多晶硅； 對所述接觸孔進行至少一次氧化處理，以使所述接觸孔表面的摻雜多晶硅以及所述連結電路側壁的摻雜多晶硅形成硅氧化物； 形成保形覆蓋所述連結電路、所述接觸孔和所述襯底表面的隔離層； 所述對所述接觸孔進行至少一次氧化處理，包括：在第一次對所述接觸孔進行氧化反應后，對所述接觸孔的表面及連結電路側壁的摻雜多晶硅進行第二次氧化，以使所述接觸孔表面的摻雜多晶硅以及所述連結電路側壁的摻雜多晶硅完全轉化為硅氧化物； 在對所述接觸孔的表面及連結電路側壁的摻雜多晶硅進行第二次氧化之前，所述形成方法還包括：去除所述硅氧化物。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人福建省晉華集成電路有限公司，其通訊地址為：362200 福建省泉州市晉江市集成電路科學園聯華大道88號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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