揚州國宇電子有限公司馬文力獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉揚州國宇電子有限公司申請的專利一種半導體換能橋及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN116086259B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-09發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202310078880.3，技術領域涉及：F42C19/08；該發明授權一種半導體換能橋及其制備方法是由馬文力;李浩;楊夢凡設計研發完成，并于2023-02-03向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種半導體換能橋及其制備方法在說明書摘要公布了：本發明公開了半導體器件技術領域內的一種半導體換能橋及其制備方法。該半導體換能橋包括：絕緣型襯底；摻雜層，設置于絕緣型襯底襯底上方，摻雜層包括P型輕摻雜區、P型重摻雜區、N型重摻雜區，P型重摻雜區設置于P型輕摻雜區兩側，N型重摻雜區設置于P型重摻雜區兩側；薄氧化層，設置于摻雜層上方；氮化硅層，設置于薄氧化層上方；金屬壓焊點，設置于氮化硅層上方，金屬壓焊點下部與N型重摻雜層接觸；金屬焊接層，設置于絕緣型襯底下方。該半導體換能橋的P型耗盡型器件可向外部提供更高的能量且反向漏電流低、工作壽命長；且其P型重摻雜區位于P型輕摻雜區兩側，從而提高了封裝工作效率。
本發明授權一種半導體換能橋及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體換能橋，其特征在于，包括： 絕緣型襯底； 摻雜層，設置于所述絕緣型襯底上方，所述摻雜層包括P型輕摻雜區、P型重摻雜區、N型重摻雜區，所述P型重摻雜區設置于所述P型輕摻雜區兩側，所述N型重摻雜區設置于所述P型重摻雜區兩側，所述P型重摻雜區用以調整發火電壓；所述P型輕摻雜區的濃度為1×1014~1×1016cm-3，所述P型輕摻雜區的寬度為5~15μm，厚度為0.5~5.0μm，所述P型重摻雜區濃度為1×1016~1×1018cm-3，所述N型重摻雜區的濃度為1×1018~1×1020cm-3； 薄氧化層，設置于所述摻雜層上方； 氮化硅層，設置于所述薄氧化層上方； 金屬壓焊點，設置于所述氮化硅層上方，所述金屬壓焊點下部與所述N型重摻雜層接觸； 金屬焊接層，設置于所述絕緣型襯底下方。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人揚州國宇電子有限公司，其通訊地址為：225000 江蘇省揚州市吳州東路188號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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