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龍圖騰網獲悉江蘇慶延微電子有限公司申請的專利高魯棒性防靜電浪涌襯底型ESD/TVS管結構及方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN116110903B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-09發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202310110445.4，技術領域涉及：H10D89/60；該發明授權高魯棒性防靜電浪涌襯底型ESD/TVS管結構及方法是由楊帆;姜一波;吳瑕設計研發完成，并于2023-02-14向國家知識產權局提交的專利申請。

本高魯棒性防靜電浪涌襯底型ESD/TVS管結構及方法在說明書摘要公布了：本發明公開了一種高魯棒性防靜電浪涌襯底型ESDTVS管結構及方法。該ESDTVS管結構在表面金屬及接觸之下設置與半導體單晶襯底相接觸且電學連接的發射極結優化填充槽，發射極結優化填充槽的下部設置有位于半導體單晶襯底之中且與發射極結優化填充槽相接觸的發射極結優化擴散，半導體單晶襯底表面延伸有集電極結優化填充槽，集電極結優化填充槽下部的半導體單晶襯底之中設置有集電極結優化擴散，半導體單晶襯底表面延伸有橫向抑制填充槽，橫向抑制填充槽下部的半導體單晶襯底之中設置有橫向抑制擴散。利用本發明能夠在無外延襯底的半導體基底上制備出能夠滿足高端需求的回穿型TVSESD產品。

本發明授權高魯棒性防靜電浪涌襯底型ESD/TVS管結構及方法在權利要求書中公布了：1.高魯棒性防靜電浪涌襯底型ESDTVS管結構，包括第一類型半導體的半導體單晶襯底，所述半導體單晶襯底中形成有第二類型半導體的深擴散阱，在所述深擴散阱中形成有第一類型半導體的發射區注入或者擴散，所述ESDTVS管結構的表面形成有表面金屬及接觸，背面形成有底部金屬及接觸，其特征在于，所述表面金屬及接觸之下設置有與半導體單晶襯底相接觸且電學連接的發射極結優化填充槽，所述發射區注入或者擴散的擴散范圍在結構上包納發射極結優化填充槽，所述發射極結優化填充槽的下部設置有位于半導體單晶襯底之中且與發射極結優化填充槽相接觸的發射極結優化擴散，所述發射極結優化擴散的深度等于或者大于發射區注入或者擴散的深度，半導體單晶襯底表面延伸有集電極結優化填充槽，所述集電極結優化填充槽下部的半導體單晶襯底之中設置有集電極結優化擴散，集電極結優化擴散與集電極結優化填充槽相接觸，所述集電極結優化擴散分布于深擴散阱的周側，集電極結優化填充槽在結構上與表面接觸但是不與表面電學連接，半導體單晶襯底表面延伸有橫向抑制填充槽，橫向抑制填充槽在結構上與表面接觸但是不與表面電學連接，所述橫向抑制填充槽下部的半導體單晶襯底之中設置有橫向抑制擴散，橫向抑制擴散與橫向抑制填充槽相接觸，所述橫向抑制擴散與深擴散阱、集電極結優化擴散不相接觸且間隔預定距離；所述半導體單晶襯底的摻雜濃度為5e18cm-3至1e20cm-3；所述深擴散阱的摻雜濃度為5e16cm-3至5e17cm-3；所述發射區注入或者擴散的摻雜濃度為5e16cm-3至1e20cm-3；所述發射極結優化擴散的摻雜濃度為1e18cm-3至1e19cm-3；所述集電極結優化擴散的摻雜濃度為5e16cm-3至1e18cm-3；所述橫向抑制擴散的摻雜濃度為5e16cm-3至5e19cm-3。

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