江蘇天芯微半導體設備有限公司葉斌獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉江蘇天芯微半導體設備有限公司申請的專利一種形成外延層的方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN116288696B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-09發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202310296278.7，技術領域涉及：C30B25/16；該發明授權一種形成外延層的方法是由葉斌設計研發完成，并于2023-03-22向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種形成外延層的方法在說明書摘要公布了：本發明涉及一種形成外延層的方法，包含以下步驟：S1、提供襯底；將所述襯底置于外延設備的腔體內，所述外延設備包括腔體、第一進氣件、排氣口和內、外燈組，所述內、外燈組用于給襯底加熱，所述第一進氣件和排氣口分別置于腔體相對的兩側；S2、通過第一進氣件向腔體內沿第一方向通入工藝氣體，執行外延工藝；其中，所述工藝氣體包括第一硅源和不同于第一硅源的第二硅源。本發明通過控制兩種硅源工藝氣體的流量，以及優化內、外燈組功率占比，提高了硅外延層的均勻性。
本發明授權一種形成外延層的方法在權利要求書中公布了：1.一種形成外延層的方法，其特征在于，包含以下步驟： S1、提供襯底；將所述襯底置于外延設備的腔體內，所述外延設備包括腔體、第一進氣件、排氣口和內、外燈組，所述內、外燈組用于給襯底加熱，所述第一進氣件和排氣口分別置于腔體相對的兩側；所述第一進氣件包括至少兩個進氣通道，所述至少兩個進氣通道水平排列，與襯底所在平面平行； S2、通過第一進氣件的進氣通道向腔體內沿第一方向通入工藝氣體，執行外延工藝； 其中，所述工藝氣體包括第一硅源和不同于第一硅源的第二硅源；通過調節不同進氣通道中第一硅源和第二硅源的流量比例來調節所述外延工藝中形成外延層的均勻性；所述第一硅源在不同進氣通道的流量從中心至邊緣方向遞減，所述第二硅源在不同進氣通道的流量從中心至邊緣方向遞增。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人江蘇天芯微半導體設備有限公司，其通訊地址為：214111 江蘇省無錫市新吳區新梅路58號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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