東南大學于虹獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉東南大學申請的專利一種基于負微分電阻效應的主動電調控太赫茲超材料濾波器獲國家發(fā)明授權專利權,本發(fā)明授權專利權由國家知識產權局授予,授權公告號為:CN116454572B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-09發(fā)布的發(fā)明授權授權公告中獲悉:該發(fā)明授權的專利申請?zhí)?專利號為:202310669866.0,技術領域涉及:H01P1/20;該發(fā)明授權一種基于負微分電阻效應的主動電調控太赫茲超材料濾波器是由于虹;魏曉;李思政設計研發(fā)完成,并于2023-06-07向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種基于負微分電阻效應的主動電調控太赫茲超材料濾波器在說明書摘要公布了:本發(fā)明公開了一種由頂部超材料層、金屬電極、襯底層和底部超材料層組成的一種基于負微分電阻效應的主動電調控太赫茲超材料濾波器,屬于太赫茲技術領域。頂部超材料層由周期性金屬陣列結構組成,襯底層為具有負微分電阻效應的Ⅲ?Ⅴ族半導體材料砷化鎵,襯底下表面的底部超材料層由周期性金屬陣列結構組成,兩個金屬電極制作在重摻雜的襯底的上表面;通過兩個金屬電極在半導體襯底上施加高偏置電壓,在半導體襯底內部產生強橫向電場會引起半導體材料的負微分電阻效應,這將改變半導體襯底的材料性質,從而影響器件的諧振頻率和透射率,形成了一種主動電調控太赫茲超材料濾波器件。
本發(fā)明授權一種基于負微分電阻效應的主動電調控太赫茲超材料濾波器在權利要求書中公布了:1.一種基于負微分電阻效應的主動電調控太赫茲超材料濾波器,其特征在于,包括由頂部人工結構單元構成的第一超材料層(1)、陽極(3)、陰極(6)、襯底層(2)、陽極高摻雜半導體層(4)、陰極高摻雜半導體層(5)、底部人工結構單元組成的第二超材料層(7);在襯底層(2)的上面設有第一超材料層(1),在襯底層(2)的一側設有陽極高摻雜半導體層(4),在襯底層(2)的另一側設有陰極高摻雜半導體層(5);在陽極高摻雜半導體層(4)上設有陽極(3),在陰極高摻雜半導體層(5)上設有陰極(6);其中第一超材料層(1)、陽極(3)、陰極(6)在同一平面上;在襯底層(2)的底部設有人工結構單元組成的第二超材料層(7); 所述襯底層(2)為具有負微分電阻效應的半導體材料; 所述襯底層(2)、陽極高摻雜半導體層(4)和陰極高摻雜半導體層(5)的半導體材料為砷化鎵、氮化鎵、磷化銦中的一種,通過陽極(3)和陰極(6)在襯底層(2)上施加高偏置電壓,此時陽極(3)、陰極(6)與襯底層(2)形成耿氏二極管,在襯底層(2)內部產生的負微分電阻效應會影響襯底層(2)內載流子濃度、遷移率、有效質量的分布,從而改變?yōu)V波器的諧振特性。
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