蘇州思若梅克電子科技有限公司郇宇獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉蘇州思若梅克電子科技有限公司申請的專利一種無鉛壓電陶瓷及其制備方法與應用獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN117902897B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-09發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202311518694.3，技術領域涉及：C04B35/495；該發明授權一種無鉛壓電陶瓷及其制備方法與應用是由郇宇;王垂磊;王慶瑩設計研發完成，并于2023-11-15向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種無鉛壓電陶瓷及其制備方法與應用在說明書摘要公布了：本發明屬于陶瓷材料制備方法技術領域，具體涉及一種無鉛壓電陶瓷及其制備方法與應用。所述無鉛壓電陶瓷為KNN基無鉛壓電陶瓷或BT基無鉛壓電陶瓷，具有鈣鈦礦結構；所述KNN基無鉛壓電陶瓷是以鈮酸鉀鈉（KNN）陶瓷為基體摻雜氮化鎵制備而成，化學式為0.955K0.48Na0.52Nb0.98Sb0.02O3?0.045Bi0.5Na0.5ZrO3?0.75mol%GaN；所述BT基無鉛壓電陶瓷是以酸鋇（BT）陶瓷為基體摻雜氮化鎵制備而成，化學式為（Ba0.85Ca0.15）（Ti0.9Zr0.1）O3?1.75mol%GaN；所述無鉛壓電陶瓷具有結構致密，不含鉛及電化學性能良好的的特點。所述無鉛壓電陶瓷的制備方法具有操作簡單，成本低，無污染及原料易得的優點。所述無鉛壓電陶瓷可用于制備能量收集器，具有重要的應用價值。
本發明授權一種無鉛壓電陶瓷及其制備方法與應用在權利要求書中公布了：1.一種無鉛壓電陶瓷，其特征在于，所述無鉛壓電陶瓷為KNN基無鉛壓電陶瓷或BT基無鉛壓電陶瓷；所述無鉛壓電陶瓷的結構為鈣鈦礦結構； 所述KNN基無鉛壓電陶瓷是以KNN陶瓷為基體摻雜氮化鎵制備而成；所述KNN基無鉛壓電陶瓷的化學式為0.955K0.48Na0.52Nb0.98Sb0.02O3?0.045Bi0.5Na0.5ZrO3?0.75mol%GaN； 所述BT基無鉛壓電陶瓷是以BT陶瓷為基體摻雜氮化鎵制備而成；所述BT基無鉛壓電陶瓷的化學式為（Ba0.85Ca0.15）（Ti0.9Zr0.1）O3?1.75mol%GaN。
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