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龍圖騰網(wǎng)獲悉電子科技大學(xué)申請的專利強微波電場對放大器芯片性能影響水平測試系統(tǒng)及方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN117761505B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-09發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202311624885.8，技術(shù)領(lǐng)域涉及：G01R31/28；該發(fā)明授權(quán)強微波電場對放大器芯片性能影響水平測試系統(tǒng)及方法是由張薇;張沂;高勇;龍嘉威;向志軍;李恩設(shè)計研發(fā)完成，并于2023-11-30向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本強微波電場對放大器芯片性能影響水平測試系統(tǒng)及方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明的目的在于提供一種強微波電場對放大器芯片性能影響水平測試系統(tǒng)及方法，屬于微波、毫米波測試技術(shù)領(lǐng)域。該測試系統(tǒng)創(chuàng)新性地采用重入式諧振腔進行強微波電場下對放大器芯片性能影響水平測試，實現(xiàn)了強電場強度下放大器性能變化的測試，在同等功率水平微波注入的情況下，有效擴大了測試所能使用的電場強度范圍，提高了強微波電場環(huán)境構(gòu)建的效率，降低了研究成本。

本發(fā)明授權(quán)強微波電場對放大器芯片性能影響水平測試系統(tǒng)及方法在權(quán)利要求書中公布了：1.強微波電場對放大器芯片性能影響水平測試系統(tǒng)，其特征在于，包括重入式諧振腔主腔體、重入式諧振腔上蓋板、微波電探針、第一功率計、第二功率計、第一信號源、第二信號源、電源、功率放大器和定向耦合器； 其中，第一信號源與功率放大器的一個端口相連，功率放大器的另一個端口與定向耦合器的入射端相連；定向耦合器的直通端與微波電探針相連，定向耦合器的耦合端與第一功率計相連，定向耦合器的反射端與匹配負(fù)載相連；所述微波電探針設(shè)置于重入式諧振腔主腔體腔內(nèi)距離下底的不超過三分之一腔長處； 所述重入式諧振腔上蓋板中心處設(shè)置圓柱型突出部，待測芯片固定設(shè)置于突出部上，待測芯片的電源引腳穿過重入式諧振腔上蓋板與電源相連，輸入引腳穿過重入式諧振腔上蓋板與第二信號源相連，輸出引腳穿過重入式諧振腔上蓋板與第二功率計相連； 重入式諧振腔主腔體由內(nèi)部中空的圓柱型外導(dǎo)體和與外導(dǎo)體同心設(shè)置的內(nèi)導(dǎo)體組成，內(nèi)導(dǎo)體的下端面與外導(dǎo)體下底面固定連接，外導(dǎo)體的上頂面中心設(shè)置通孔，通孔直徑與重入式諧振腔上蓋板的圓柱突出部的尺寸相同，通孔高度與重入式諧振腔上蓋板的圓柱突出部高度相同，使重入式諧振腔上蓋板與重入式諧振腔主腔體上頂面完全匹配，且內(nèi)導(dǎo)體上端面與待測芯片不接觸； 所述測試系統(tǒng)按照以下步驟進行測試： 步驟1.將第一信號源關(guān)閉，在無微波電場時，利用第二信號源讀取待測芯片的輸入功率Pin1，并利用第二功率計測量待測芯片的輸出功率Pout1； 步驟2.打開第一信號源，使重入式諧振腔主腔體激勵起微波電場，調(diào)節(jié)功率放大器在所需微波電場強度下，利用第二信號源讀取待測芯片的輸入功率Pin2，并利用第二功率計測量待測芯片的輸出功率Pout2； 步驟3.基于步驟1和步驟2所得到的待測芯片的輸入功率Pin1、Pin2和輸出功率Pout1、Pout2，分別計算增益G和效率η，具體計算過程如下： 其中，Us為電源電壓，Id為漏極電流； 步驟4.比較有無微波電場下的增益G和效率η，即可分析得到強微波電場對放大器芯片性能影響水平。

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