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龍圖騰網獲悉廈門乾照光電股份有限公司申請的專利一種通孔型垂直結構LED芯片及其制作方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN118676281B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-09發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202410795595.8，技術領域涉及：H10H20/84；該發明授權一種通孔型垂直結構LED芯片及其制作方法是由楊克偉;尤翠萍;曲曉東;江土堆;趙斌;羅桂蘭;陳凱軒設計研發完成，并于2024-06-19向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種通孔型垂直結構LED芯片及其制作方法在說明書摘要公布了：本發明提供一種通孔型垂直結構LED芯片及其制作方法，其中，通孔型垂直結構LED芯片在導電基板一側設置金屬鍵合層、絕緣介質結構、歐姆接觸層、金屬反射結構、透明導電層以及外延疊層；其中，金屬反射結構沿背離外延疊層的方向依次包括層疊的金屬反射鏡和金屬保護層；且通過金屬保護層、第二型半導體層及部分絕緣介質結構形成封閉式結構將金屬反射鏡包覆，防止金屬反射鏡脫落，及金屬反射鏡的金屬材料擴散至芯片的四周，而影響通孔反射結構的反射效果及產品的穩定性，可用來提高芯片的光提取效率及產品的可靠性，進而提升通孔型垂直結構LED芯片的亮度及可靠性，其工藝制作簡單、便捷，便于生產化。

本發明授權一種通孔型垂直結構LED芯片及其制作方法在權利要求書中公布了：1.一種通孔型垂直結構LED芯片，其特征在于，包括： 導電基板； 設置于所述導電基板一側的金屬鍵合層、絕緣介質結構、歐姆接觸層、金屬反射結構、透明導電層以及外延疊層；其中，所述外延疊層至少包括沿第一方向依次堆疊的第二型半導體層、有源區以及第一型半導體層，且所述外延疊層朝向所述導電基板的一側表面設有向所述第一型半導體層延伸的凹槽，并顯露所述第一型半導體層的部分表面，所述第一方向垂直于所述導電基板，并由所述導電基板指向所述外延疊層； 所述金屬反射結構設置于所述第二型半導體層背離所述外延疊層一側的部分表面； 所述歐姆接觸層覆蓋所述金屬反射結構背離所述外延疊層的一側表面，且所述歐姆接觸層朝向所述外延疊層的一側具有裸露面以用于外部電連接； 所述絕緣介質結構設置于所述外延疊層朝向所述導電基板的一側，并覆蓋所述歐姆接觸層、金屬反射結構及外延疊層的裸露面，且所述絕緣介質結構延伸至所述凹槽的側壁并裸露所述凹槽的底部形成第一通孔； 其中，所述金屬反射結構沿背離所述外延疊層的方向依次包括層疊的金屬反射鏡和金屬保護層；且通過所述金屬保護層、所述第二型半導體層及部分絕緣介質結構形成封閉式結構將所述金屬反射鏡包覆； 且，在所述封閉式結構中，所述絕緣介質結構的內側壁具有沿背離所述金屬反射鏡方向延伸的內凹結構，所述絕緣介質結構的內側壁還具有沿所述金屬保護層方向延伸的凸出結構，所述金屬反射鏡位于所述凸出結構朝向外延疊層的一側，并嵌入所述內凹結構，所述金屬保護層與所述凸出結構接合； 所述金屬鍵合層層疊于所述絕緣介質結構背離所述外延疊層的一側表面，并通過所述第一通孔與所述第一型半導體層形成電連接，且所述導電基板層疊于所述金屬鍵合層背離所述外延疊層的一側表面。

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