湖南藍(lán)芯微電子科技有限公司尚金龍獲國家專利權(quán)
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龍圖騰網(wǎng)獲悉湖南藍(lán)芯微電子科技有限公司申請的專利降低漏電風(fēng)險(xiǎn)的高壓發(fā)光二極管制備方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán),本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予,授權(quán)公告號(hào)為:CN118943254B 。
龍圖騰網(wǎng)通過國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-09發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉:該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號(hào)為:202410886005.2,技術(shù)領(lǐng)域涉及:H10H20/01;該發(fā)明授權(quán)降低漏電風(fēng)險(xiǎn)的高壓發(fā)光二極管制備方法是由尚金龍;朱帥設(shè)計(jì)研發(fā)完成,并于2024-07-03向國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。
本降低漏電風(fēng)險(xiǎn)的高壓發(fā)光二極管制備方法在說明書摘要公布了:本發(fā)明涉及發(fā)光二極管芯片制備技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及降低漏電風(fēng)險(xiǎn)的高壓發(fā)光二極管及其制備方法。其方法包括在襯底上依次生長N型GaN層、發(fā)光量子阱及P型GaN層;制作N區(qū)臺(tái)階、絕緣刻蝕道及絕緣保護(hù)孔;刻蝕成形電流阻擋層和電流擴(kuò)展層,提高了可靠性,減少金線焊接,減少安全保護(hù)二極管的添加并實(shí)現(xiàn)了高效的電流分布。
本發(fā)明授權(quán)降低漏電風(fēng)險(xiǎn)的高壓發(fā)光二極管制備方法在權(quán)利要求書中公布了:1.一種降低漏電風(fēng)險(xiǎn)的高壓發(fā)光二極管的制備方法,其特征在于,包括 在襯底上依次生長N型GaN層、發(fā)光量子阱及P型GaN層; 制作N區(qū)臺(tái)階2、絕緣刻蝕道1及絕緣保護(hù)孔6; 刻蝕成形電流阻擋層3和電流擴(kuò)展層4; 絕緣刻蝕道1制作完成后,首先對側(cè)邊進(jìn)行絕緣處理,然后進(jìn)行后續(xù)的電極搭橋; 還包括同步制作電極橋連層與金屬電極層5:先用負(fù)膠進(jìn)行光刻,然后蒸鍍鉻、鋁、鉻、鉑、金,最后進(jìn)行剝離工藝; 制備后的發(fā)光二極管的芯片包括至少兩個(gè)芯片單元7,芯片單元7之間通過兩個(gè)并聯(lián)單元8并聯(lián),芯片單元7與并聯(lián)單元8上均刻蝕N區(qū)臺(tái)階,芯片單元7與并聯(lián)單元8之間基于金屬電極鍍膜連接,芯片單元7與并聯(lián)單元8的側(cè)壁及分割處鍍有絕緣層。
如需購買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù),可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)@麢?quán)人湖南藍(lán)芯微電子科技有限公司,其通訊地址為:417000 湖南省婁底市漣濱街道吉星北路旺達(dá)創(chuàng)業(yè)園31棟4樓4427室;或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服,聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。
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