上海新微半導體有限公司張安邦獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉上海新微半導體有限公司申請的專利一種半導體器件結構及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN118841324B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-09發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202410893684.6，技術領域涉及：H10D30/01；該發明授權一種半導體器件結構及其制備方法是由張安邦設計研發完成，并于2024-07-04向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種半導體器件結構及其制備方法在說明書摘要公布了：本發明提供一種半導體器件結構及其制備方法，通過在包括含鋁勢壘層的半導體層上形成復合鈍化層，該復合鈍化層包括第一鈍化層和第二鈍化層，第一鈍化層經圖案化處理后形成有顯露含鋁勢壘層的開口，第二鈍化層覆蓋第一鈍化層并填充該開口。第一鈍化層與第二鈍化層其中之一包括鋁元素，另一個包括硅元素，而柵電極形成于包括硅元素的鈍化層與含鋁勢壘層直接接觸的區域。這種復合鈍化層的設計，有效減少了含鋁勢壘層表面的懸掛鍵和表面態，實現了對半導體器件結構的高效鈍化。同時有效避免了后續柵電極通孔及源極接觸孔制備過程中對含鋁勢壘層造成損傷，顯著降低漏電風險，提高了半導體器件的電氣性能和可靠性。
本發明授權一種半導體器件結構及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體器件結構的制備方法，其特征在于，包括以下步驟： 提供一半導體層，所述半導體層包括含鋁勢壘層； 形成復合鈍化層于所述半導體層上方，所述復合鈍化層包括先后形成的第一鈍化層和第二鈍化層，所述第一鈍化層經過圖案化處理以形成顯露所述含鋁勢壘層的開口，所述第二鈍化層覆蓋經圖案化處理后的所述第一鈍化層并填充進所述開口，所述第一鈍化層包括鋁元素，所述第二鈍化層包括硅元素； 形成間隔設置的源電極及漏電極，所述源電極與所述漏電極均垂向貫穿所述復合鈍化層； 形成第一介質層于所述復合鈍化層上方； 形成柵電極通孔，所述柵電極通孔垂向貫穿所述第一介質層及所述復合鈍化層，所述柵電極通孔位于所述開口所在區域； 形成柵電極，所述柵電極至少填充所述柵電極通孔。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人上海新微半導體有限公司，其通訊地址為：200120 上海市浦東新區中國(上海)自由貿易試驗區臨港新片區飛渡路2020號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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