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龍圖騰網獲悉北京伽略電子股份有限公司申請的專利一種低壓的UVLO版圖結構獲國家實用新型專利權，本實用新型專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN223322359U 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-09發布的實用新型授權公告中獲悉：該實用新型的專利申請號/專利號為：202421587413.X，技術領域涉及：H10D89/10；該實用新型一種低壓的UVLO版圖結構是由勇智強;張瓊;楊磊設計研發完成，并于2024-07-06向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種低壓的UVLO版圖結構在說明書摘要公布了：本實用新型提供一種低壓的UVLO版圖結構，包括位于最外圍帶有PW的隔離地環，位于隔離地環內部左側的N型差分對區，位于N型差分對區右側且上下排布的分壓電阻區、P型差分對區，位于分壓電阻區、P型差分對區右側的電容區、位于電容區右側并上下排布的數字版圖區、電流鏡匹配區和位于隔離地環內部的電源線VDD、地線GND。本實用新型合理規劃了版圖信號，版圖結構緊湊，提高了芯片面積利用率，減小了生產成本；根據版圖設計規則，內部元器件電流鏡、差分對、匹配電阻等進行了高精度匹配，保證周圍環境的一致性；外圍增加隔離保護環，增加其抗干擾能力，提高其精度和性能。

本實用新型一種低壓的UVLO版圖結構在權利要求書中公布了：1.一種低壓的UVLO版圖結構，其特征在于：包括位于最外圍帶有PW的隔離地環100，位于所述隔離地環100內部左側的N型差分對區110，位于所述N型差分對區110右側且上下排布的分壓電阻區120、P型差分對區130，位于所述分壓電阻區120、所述P型差分對區130右側的電容區140、位于所述電容區140右側并上下排布的數字版圖區150、電流鏡匹配區160和位于所述隔離地環100內部的電源線VDD、地線GND，所述N型差分對區110、所述分壓電阻區120、所述P型差分對區130、所述電容區140、所述數字版圖區150和所述電流鏡匹配區160均連接在所述隔離地環100內部； 所述N型差分對區110和所述P型差分對區130為反饋電路，所述分壓電阻區120、所述電容區140的電容C1為采樣電路，所述數字版圖區150為輸出緩沖器，所述電流鏡匹配區160為比較器； 所述N型差分對區110包括共質心匹配且布局成2行2列的CMOS管M6、CMOS管M7和位于管M6、管M7左右兩側的N型差分對區虛擬管，管M6柵極連接帶隙基準電壓VREF，管M7柵極連接所述分壓電阻區120和所述數字版圖區150； 所述分壓電阻區120包括共質心匹配且單行排列的串聯電阻R0、R1、R2和位于右端并聯的電阻R3，電阻R0另一端連接地線GND，電阻R0和電阻R1之間輸出采樣電壓VC，電阻R2另一端連接電源線VDD，電阻R3一端連接電源線VDD； 所述P型差分對區130包括差分對匹配為4行5列的CMOS管M0、CMOS管M1、CMOS管M2、CMOS管M3、CMOS管M4、CMOS管M5；所述P型差分對區130與所述N型差分對區110、所述分壓電阻區120均連接，所述P型差分對區130和所述N型差分對區110組成反饋電路，所述P型差分對區130另一端連接電源VDC； 所述電容區140包括電容C0、C1，電容C0一端連接電壓V02、另一端連接地線GND，電容C1一端連接VDC、另一端連接地線GND； 所述電流鏡匹配區160包括進行電流鏡匹配的CMOS管M10、CMOS管M11和電流鏡匹配的CMOS管M8、CMOS管M9、CMOS管M13；所述電流鏡匹配區160布局成2行、同襯底電位共襯底環；管M10、管M11與所述P型差分對區130相連，管M11漏端連接電壓V01，管M8、管M9、管M13與所述N型差分對區110相連，管M8漏端連接IBN7，管M13漏端連接電壓V02； 管M6的柵極輸入帶隙基準電壓VREF，電阻R1、電阻R0之間輸出電源采樣電壓VC，所述電流鏡匹配區160比較電源采樣電壓VC和帶隙基準電壓VREF以進行UVLO的控制。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人北京伽略電子股份有限公司，其通訊地址為：100036 北京市海淀區蓮花苑5號華寶大廈10層；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。