江西兆馳半導(dǎo)體有限公司程龍獲國家專利權(quán)
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龍圖騰網(wǎng)獲悉江西兆馳半導(dǎo)體有限公司申請(qǐng)的專利發(fā)光二極管外延片及其制備方法、LED獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN119029109B 。
龍圖騰網(wǎng)通過國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-09發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202411158068.2，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10H20/816；該發(fā)明授權(quán)發(fā)光二極管外延片及其制備方法、LED是由程龍;鄭文杰;高虹;劉春楊;胡加輝;金從龍?jiān)O(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2024-08-22向國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。
本發(fā)光二極管外延片及其制備方法、LED在說明書摘要公布了：本發(fā)明涉及光電技術(shù)領(lǐng)域，公開了一種發(fā)光二極管外延片及其制備方法、LED，所述發(fā)光二極管外延片包括襯底，所述襯底上依次設(shè)有緩沖層、非摻雜GaN層、N型GaN層、有源層、電子阻擋層、P型GaN層；所述電子阻擋層包括依次層疊的BAlNP?GaN超晶格層、AlGaNP?InGaN超晶格層、BN層。本發(fā)明提供的發(fā)光二極管外延片減少電子溢流，提高空穴注入效率，補(bǔ)充空穴濃度，提升發(fā)光二極管的發(fā)光效率。
本發(fā)明授權(quán)發(fā)光二極管外延片及其制備方法、LED在權(quán)利要求書中公布了：1.一種發(fā)光二極管外延片，其特征在于，包括襯底，所述襯底上依次設(shè)有緩沖層、非摻雜GaN層、N型GaN層、有源層、電子阻擋層、P型GaN層； 所述電子阻擋層包括依次層疊的BAlNP-GaN超晶格層、AlGaNP-InGaN超晶格層、BN層。
如需購買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請(qǐng)人或?qū)＠麢?quán)人江西兆馳半導(dǎo)體有限公司，其通訊地址為：330000 江西省南昌市南昌高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)天祥北大道1717號(hào)；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。
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2、報(bào)告中的分析和結(jié)論僅反映本公司于發(fā)布本報(bào)告當(dāng)日的職業(yè)理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔(dān)任何法律責(zé)任的依據(jù)或者憑證。
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