買專利賣專利找龍圖騰，真高效！ 查專利查商標用IPTOP,全免費！專利年費監控用IP管家,真方便！

龍圖騰網獲悉華南師范大學申請的專利一種抑制SiC MOSFET橋臂串擾的驅動電路獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119727336B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-09發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510008614.2，技術領域涉及：H02M1/088；該發明授權一種抑制SiC MOSFET橋臂串擾的驅動電路是由陳定邦;王德明設計研發完成，并于2025-01-03向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種抑制SiC MOSFET橋臂串擾的驅動電路在說明書摘要公布了：本發明公開了一種抑制SiCMOSFET橋臂串擾的驅動電路，其涉及電力電子技術領域，其技術方案要點是每個橋臂SiCMOSFET的柵極上均連接有推挽電路，推免電路與SiCMOSFET柵極之間并聯有柵極電壓鉗位電路，所述推挽電路的兩個場效應管G端連接有PWM1信號，PWM1信號與場效應管G端之間存在電隔離屏障б 1 ，場效應管D端連接至SiCMOSFET柵極，所述柵極電壓鉗位電路包括串聯連接的電容C與輔助MOS管，輔助MOS管G端還連接有比較器電路；本發明易于集成，控制策略簡單，不包括任何額外的控制信號。

本發明授權一種抑制SiC MOSFET橋臂串擾的驅動電路在權利要求書中公布了：1.一種抑制SiCMOSFET橋臂串擾的驅動電路，其特征在于，上下橋臂SiCMOSFET的柵極上均連接有推挽電路，推挽電路與SiCMOSFET柵極之間并聯有柵極電壓鉗位電路，所述推挽電路的兩個場效應管G端連接有PWM1信號，PWM1信號與場效應管G端之間存在電隔離屏障б 1 ，場效應管D端連接至SiCMOSFET柵極，所述柵極電壓鉗位電路包括串聯連接的電容C與輔助MOS管，輔助MOS管G端還連接有比較器電路； 所述比較器電路包括放大模塊，放大模塊的輸出端與輔助MOS管之間串聯有電阻R5，電阻R5一端連接在輔助MOS管G端，另一端接入放大模塊的輸出端； 所述放大模塊的正相輸入端連接有PWM2信號，放大模塊的反相輸入端接入基準電壓； 所述PWM2信號與正相輸入端之間存在電隔離屏障б 2 ； PWM1信號經過電隔離屏障б 1 存在信號傳輸延遲，信號延遲傳輸后通過兩個場效應管的S極輸出，輸出后與電容CH的一端連接，電容CH的另一端連接第一輔助MOS管的D極，第一輔助MOS管的S極接地，第一輔助MOS管的G極連接在電阻R5H的一端，電阻R5H的另一端連接在放大模塊UH的輸出端； PWM2信號經過電隔離屏障б 2 存在信號傳輸延遲，信號延遲傳輸后通過兩個場效應管的S極輸出，輸出后與電容CL的一端連接，電容CL的另一端連接第二輔助MOS管的D極，第二輔助MOS管的S極接地，第二輔助MOS管的G極連接在電阻R5L的一端，電阻R5L的另一端連接在放大模塊UL的輸出端； 上橋臂包括：開關QH、電感LgH； 下橋臂包括：開關QL、電感LgL； 開關QH的柵極連接寄生電阻RgHin的一端，寄生電阻RgHin的另一端與電感LgH的一端連接，電感LgH另一端與電容CH的一端連接； 開關QL的柵極連接寄生電阻RgLin的一端，寄生電阻RgLin的另一端與電感LgL的一端連接，電感LgL另一端與電容CL的一端連接。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人華南師范大學，其通訊地址為：528200 廣東省佛山市南海區獅山鎮南海大學城華南師范大學電子科學與工程學院(微電子學院)；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。