深圳市晶存科技股份有限公司劉孜獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉深圳市晶存科技股份有限公司申請的專利一種LPDDR芯片的動態電壓確定方法、系統、裝置及存儲介質獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119517137B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-09發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510082276.7，技術領域涉及：G11C29/12；該發明授權一種LPDDR芯片的動態電壓確定方法、系統、裝置及存儲介質是由劉孜設計研發完成，并于2025-01-20向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種LPDDR芯片的動態電壓確定方法、系統、裝置及存儲介質在說明書摘要公布了：本發明公開了一種LPDDR芯片的動態電壓確定方法、系統、裝置及存儲介質，方法包括：獲取LPDDR芯片的制程參數；根據所述制程參數確定參數類型，所述參數類型表征所述制程參數的類型；根據所述參數類型和預設數據表確定LPDDR芯片的DVFSC模式；根據所述DVFSC模式、所述預設數據表和所述制程參數確定LPDDR芯片的動態電壓。本申請能夠有效彌補現有方法的不足，通過LPDDR芯片的制程參數，確定LPDDR芯片的DVFSC模式，從而計算得到DVFSC模式下的動態電壓，因此在DVFSC模式為低頻模式時，能夠計算相應的動態電壓，提高LPDDR芯片工作的穩定性。
本發明授權一種LPDDR芯片的動態電壓確定方法、系統、裝置及存儲介質在權利要求書中公布了：1.一種LPDDR芯片的動態電壓確定方法，其特征在于，包括： 獲取LPDDR芯片的制程參數； 根據所述制程參數確定參數類型，所述參數類型表征所述制程參數的類型； 根據所述參數類型和預設數據表確定LPDDR芯片的DVFSC模式； 根據所述DVFSC模式、所述預設數據表和所述制程參數確定LPDDR芯片的動態電壓，具體包括：基于所述DVFSC模式在所述預設數據表確定目標條目，獲取所述目標條目中第一類型的所述制程參數所對應的第一電壓，獲取所述目標條目中第二類型的所述制程參數所對應的第二電壓，獲取所述目標條目中第三類型的所述制程參數所對應的第三電壓，獲取所述目標條目中第四類型的所述制程參數所對應的第四電壓，根據所述第一電壓、所述第二電壓、第三電壓和第四電壓確定所述動態電壓，所述動態電壓表示根據不同的所述制程參數所預設的電壓。
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