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龍圖騰網獲悉哈爾濱工業大學申請的專利一種基于電控液晶的拓撲荷可調太赫茲渦旋光束產生器件及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119805818B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-09發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510203198.1，技術領域涉及：G02F1/1343；該發明授權一種基于電控液晶的拓撲荷可調太赫茲渦旋光束產生器件及其制備方法是由劉辰翔;王宇;車興凱;胡程鵬;田浩設計研發完成，并于2025-02-24向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種基于電控液晶的拓撲荷可調太赫茲渦旋光束產生器件及其制備方法在說明書摘要公布了：一種基于電控液晶的拓撲荷可調太赫茲渦旋光束產生器件及其制備方法，屬于可調太赫茲渦旋光束技術領域。為解決對產生的渦旋光束進行廣泛精確調節，本發明從上到下依次設置有第一基底層、旋轉扭曲電極層、第一聚酰亞胺取向層、電控液晶層、第二聚酰亞胺取向層，均勻透明電極層、第二基底層；旋轉扭曲電極層由一系列分立的瓣狀電極組成，每個瓣狀電極分別通過電極連接線連接多通道控制電源；一系列分立的瓣狀電極是經過一系列同心扇形旋轉扭曲形成，用于產生電場分布激發電控液晶層產生渦旋光束相位。本發明實現了采用較為簡單的結構實現了渦旋光束的產生并可以調節拓撲荷，效果明顯，能夠簡化相關光學系統。

本發明授權一種基于電控液晶的拓撲荷可調太赫茲渦旋光束產生器件及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種基于電控液晶的拓撲荷可調太赫茲渦旋光束產生器件，其特征在于，從上到下依次設置有第一基底層1、旋轉扭曲電極層2、第一聚酰亞胺取向層3、電控液晶層4、第二聚酰亞胺取向層5，均勻透明電極層6、第二基底層7； 所述旋轉扭曲電極層2由一系列分立的瓣狀電極10組成，每個瓣狀電極分別通過電極連接線8連接多通道控制電源9；一系列分立的瓣狀電極10是經過一系列同心扇形旋轉扭曲形成，用于產生電場分布激發電控液晶層4產生渦旋光束相位； 所述旋轉扭曲電極層2提供的相位分布的表達式為： 其中，為旋轉扭曲電極層2提供的相位分布，H為Heaviside階躍函數，λ為太赫茲波長，f為焦距參數，用于提供聚焦以匯聚渦旋光，r為電極層上點的徑向坐標，l為渦旋光的拓撲荷數，i為虛數單位； 所述第一基底層1、第二基底層7為太赫茲透明的石英或者硅基底；所述旋轉扭曲電極層2中瓣狀電極10的個數為12-48個，每個瓣狀電極10基于供電和不供電可以分為1和0兩個狀態； 所述電控液晶層4用于配合旋轉扭曲電極層2提供采樣后的渦旋光束相位延遲，第一聚酰亞胺取向層3和第二聚酰亞胺取向層5采用反平行取向用于約束靠近上下邊界的液晶取向；電控液晶層4通過液晶的雙折射效應產生與電壓對應的單值相位延遲δ，表達式為： 其中，d為電控液晶層厚度，θ為液晶偏轉角隨厚度而變化，n⊥和n||分別為入射光偏振方向垂直于液晶分子指向角的折射率、入射光偏振方向平行于液晶分子指向角的折射率，z為電控液晶層4內點的厚度方向坐標； 電控液晶層4厚度取決于液晶的雙折射，保證液晶在完全偏轉后提供角度為π的相移。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人哈爾濱工業大學，其通訊地址為：150001 黑龍江省哈爾濱市南崗區西大直街92號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。