華中科技大學(xué)宋運(yùn)興獲國(guó)家專(zhuān)利權(quán)
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龍圖騰網(wǎng)獲悉華中科技大學(xué)申請(qǐng)的專(zhuān)利一種指紋形矢量磁體獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專(zhuān)利權(quán),本發(fā)明授權(quán)專(zhuān)利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予,授權(quán)公告號(hào)為:CN120072458B 。
龍圖騰網(wǎng)通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-09發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉:該發(fā)明授權(quán)的專(zhuān)利申請(qǐng)?zhí)?專(zhuān)利號(hào)為:202510536067.5,技術(shù)領(lǐng)域涉及:H01F5/00;該發(fā)明授權(quán)一種指紋形矢量磁體是由宋運(yùn)興;黎江藍(lán);程志文設(shè)計(jì)研發(fā)完成,并于2025-04-27向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專(zhuān)利申請(qǐng)。
本一種指紋形矢量磁體在說(shuō)明書(shū)摘要公布了:本申請(qǐng)屬于磁體領(lǐng)域,具體公開(kāi)了一種指紋形矢量磁體;具體包括:至少一個(gè)具有兩瓣中心對(duì)稱的指紋形線圈、和或多匝筒式線圈;指紋形線圈和多匝筒式線圈均分布在同心的圓柱面上,且指紋形線圈和多匝筒式線圈的半徑均不相同,使指紋形線圈和多匝筒式線圈相互嵌套;多匝筒式線圈用于在電流的作用下產(chǎn)生沿圓柱面軸心方向的均勻磁場(chǎng);指紋形線圈用于在電流的作用下產(chǎn)生垂直于軸心方向的均勻磁場(chǎng)。本申請(qǐng)磁場(chǎng)調(diào)控便捷且控制精度較高。
本發(fā)明授權(quán)一種指紋形矢量磁體在權(quán)利要求書(shū)中公布了:1.一種指紋形矢量磁體,其特征在于,包括:至少一個(gè)具有兩瓣中心對(duì)稱的指紋形線圈和多匝筒式線圈; 指紋形線圈和多匝筒式線圈均分布在同心的圓柱面上,且指紋形線圈和多匝筒式線圈的半徑均不相同,使指紋形線圈和多匝筒式線圈相互嵌套; 多匝筒式線圈用于在電流的作用下產(chǎn)生沿圓柱面軸心方向的均勻磁場(chǎng);指紋形線圈用于在電流的作用下產(chǎn)生垂直于軸心方向的均勻磁場(chǎng); 多匝筒式線圈和指紋形線圈產(chǎn)生的不同方向的均勻磁場(chǎng),構(gòu)成指紋形矢量磁場(chǎng); 其中,多匝筒式線圈和指紋形線圈為采用目標(biāo)場(chǎng)法理論與正則化理論進(jìn)行設(shè)計(jì); 獲取指紋形線圈和多匝筒式線圈的方法,具體包括以下步驟: 步驟S1:在均勻磁場(chǎng)區(qū)域選取若干目標(biāo)點(diǎn),利用畢奧-薩伐爾定律將目標(biāo)點(diǎn)處的磁場(chǎng)強(qiáng)度采用圓柱面上電流密度的流函數(shù)表示,進(jìn)而建立目標(biāo)點(diǎn)實(shí)際磁場(chǎng)強(qiáng)度與理論磁場(chǎng)強(qiáng)度的偏差的平方和的目標(biāo)函數(shù); 步驟S2:在目標(biāo)函數(shù)上引入懲罰項(xiàng),形成目標(biāo)泛函; 步驟S3:根據(jù)正則化理論,基于目標(biāo)泛函求解流函數(shù)系數(shù)矩陣; 步驟S4:根據(jù)獲取的流函數(shù)系數(shù)矩陣獲取圓柱面上電流密度的流函數(shù),并對(duì)圓柱面上電流密度的流函數(shù)進(jìn)行離散,獲取各匝導(dǎo)線的位置;其中,各匝導(dǎo)線的中心位置與流函數(shù)等值線重合。
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