華源智信半導體(深圳)有限公司肖海斌獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉華源智信半導體(深圳)有限公司申請的專利自供電芯片系統獲國家發明授權專利權,本發明授權專利權由國家知識產權局授予,授權公告號為:CN120185404B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-09發布的發明授權授權公告中獲悉:該發明授權的專利申請號/專利號為:202510660229.6,技術領域涉及:H02M3/335;該發明授權自供電芯片系統是由肖海斌;郭春明設計研發完成,并于2025-05-22向國家知識產權局提交的專利申請。
本自供電芯片系統在說明書摘要公布了:本發明提供了一種自供電芯片系統,該系統所在的功率電路的原邊繞組一端接收輸入電壓,另一端依次經J?FET上管、第一節點及NMOS下管接地,J?FET上管的控制端接地,自供電芯片系統的芯片供電電容一端接地,另一端分別經默認通態的恒流源及第一開關耦接至第一節點,芯片供電電容為控制器的供電端供電,由于控制器所需的供電電壓均小于J?FET上管的夾斷電壓,本發明通過在上電時通過恒流源對控制器進行自供電,在供電端的電壓小于或等于第一電壓閾值時通過控制第一開關導通對控制器進行無損自供電,在供電端的電壓小于或等于第三電壓閾值時通過同時控制恒流源和第一開關導通對控制器進行自供電的方式,不僅簡化了控制器的供電電路,還提高了電路的供電效率。
本發明授權自供電芯片系統在權利要求書中公布了:1.一種自供電芯片系統,其特征在于,該系統應用于功率電路中,所述功率電路包括原邊電路,所述原邊電路包括原邊繞組、J-FET上管以及NMOS下管,所述原邊繞組的第一端接收輸入電壓,其第二端依次通過J-FET上管以及NMOS下管接地,所述J-FET上管的控制端耦接至地,所述J-FET上管以及所述NMOS下管之間通過第一節點耦接; 所述自供電芯片系統包括:芯片供電電容、恒流源、第一開關以及控制器,所述恒流源默認為通態; 所述芯片供電電容的第一端接地,其第二端分別通過所述恒流源以及所述第一開關耦接至所述第一節點,所述控制器的供電端耦接至所述芯片供電電容的第二端,其第一端耦接至所述恒流源的控制端,其第二端耦接至所述第一開關的控制端; 所述控制器被配置為用于:在所述供電端的電壓到達啟動電壓時進入正常工作狀態,并控制所述恒流源進入斷態,所述啟動電壓小于所述J-FET上管的夾斷電壓; 在進入所述正常工作狀態后,基于所述供電端的電壓,控制所述恒流源的工作狀態以及所述第一開關的通斷,其中: 在所述供電端的電壓小于或等于第一電壓閾值時,控制所述第一開關導通,直至所述供電端的電壓大于或等于第二電壓閾值,所述啟動電壓大于所述第二電壓閾值,所述第二電壓閾值大于所述第一電壓閾值; 在所述供電端的電壓小于或等于第三電壓閾值時,控制所述恒流源工作狀態為通態,直至所述供電端的電壓大于或等于第一電壓閾值,所述第三電壓閾值小于所述第一電壓閾值。
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