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龍圖騰網獲悉合肥晶合集成電路股份有限公司申請的專利半導體器件及其制造方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN120239322B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-09發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510713073.3，技術領域涉及：H10D84/01；該發明授權半導體器件及其制造方法是由張靜;周儒領;汪子千設計研發完成，并于2025-05-30向國家知識產權局提交的專利申請。

本半導體器件及其制造方法在說明書摘要公布了：本申請涉及一種半導體器件及其制造方法，包括：提供襯底，所述襯底上形成有多個柵極結構，于相鄰兩個柵極結構之間的襯底內形成預處理溝槽；于預處理溝槽的內壁上形成拓展層；刻蝕去除拓展層中位于預處理溝槽底部的部分，使剩余的拓展層覆蓋所述預處理溝槽的側壁，并刻蝕預處理溝槽下方的襯底，以形成基于預處理溝槽的初始溝槽；刻蝕所述初始溝槽中未被拓展層覆蓋的部分并形成西格瑪溝槽；去除剩余的拓展層；于所述西格瑪溝槽內形成外延層，所述外延層包括自下而上依次堆疊的緩沖層、中間層和蓋帽層，且所述緩沖層完全覆蓋所述西格瑪溝槽的內壁。本申請減少或避免了中間層中的元素擴散至襯底內，從而減少甚至避免半導體器件的短溝道效應。

本發明授權半導體器件及其制造方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體器件的制造方法，其特征在于，包括： 提供襯底，所述襯底上形成有多個相互間隔的柵極結構，于相鄰兩個所述柵極結構之間的所述襯底內形成預處理溝槽； 采用原位水汽生成工藝或熱氧化生長工藝于所述預處理溝槽的內壁上形成拓展層； 刻蝕去除所述拓展層中位于所述預處理溝槽的底部的部分，使剩余的所述拓展層覆蓋所述預處理溝槽的側壁，并刻蝕所述預處理溝槽下方的部分所述襯底，以形成基于所述預處理溝槽的初始溝槽； 刻蝕所述初始溝槽中未被所述拓展層覆蓋的部分并形成西格瑪溝槽； 去除剩余的所述拓展層； 于所述西格瑪溝槽內形成外延層，所述外延層包括自下而上依次堆疊的緩沖層、中間層和蓋帽層，且所述緩沖層完全覆蓋所述西格瑪溝槽的內壁，所述緩沖層包括靠近所述襯底一側的第一緩沖層和靠近所述中間層一側的第二緩沖層。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人合肥晶合集成電路股份有限公司，其通訊地址為：230012 安徽省合肥市新站區合肥綜合保稅區內西淝河路88號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。