買專利賣專利找龍圖騰，真高效！ 查專利查商標用IPTOP,全免費！專利年費監(jiān)控用IP管家,真方便！

龍圖騰網(wǎng)獲悉常州硅源新能材料有限公司申請的專利碳源混合氣CVD包覆硅碳負極材料和制備方法及鋰離子電池獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN120261549B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-09發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202510749318.8，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H01M4/36；該發(fā)明授權(quán)碳源混合氣CVD包覆硅碳負極材料和制備方法及鋰離子電池是由丁亞亞;魯鵬;汪金澳;張玉鵬;林賢清;任春雷;呂飛;吳鑫娣設計研發(fā)完成，并于2025-06-06向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本碳源混合氣CVD包覆硅碳負極材料和制備方法及鋰離子電池在說明書摘要公布了：本發(fā)明涉及鋰離子電池技術(shù)領(lǐng)域，尤其是一種碳源混合氣CVD包覆硅碳負極材料和制備方法及鋰離子電池，其制備方法包括以下步驟：1）硅碳材料的制備：將多孔碳置于設備內(nèi)，調(diào)控氣速和設備動態(tài)轉(zhuǎn)動速率，使其均勻分散，升溫至380?650℃，通入濃度為5?50%的硅烷混合氣，形成硅碳材料；2）混合氣碳包覆硅碳材料：將不同比例的混合氣源通入設備內(nèi)，調(diào)控氣速和設備動態(tài)轉(zhuǎn)動速率，使其均勻分散，升溫至450?700℃，實現(xiàn)硅碳材料表面均勻碳包覆。本發(fā)明解決了單一乙炔自聚反應產(chǎn)生的爆炸問題；而且，均勻碳包覆隔絕了電解液和納米硅直接接觸產(chǎn)生的副反應問題，提高硅碳材料的穩(wěn)定性。

本發(fā)明授權(quán)碳源混合氣CVD包覆硅碳負極材料和制備方法及鋰離子電池在權(quán)利要求書中公布了：1.一種碳源混合氣CVD包覆硅碳負極材料的制備方法，其特征在于，包括以下步驟： 1硅碳材料的制備：將多孔碳置于設備內(nèi)，調(diào)控氣速和設備動態(tài)轉(zhuǎn)動速率，使其均勻分散，升溫至380-650℃，通入濃度為5-50％的硅烷混合氣，形成硅碳材料；所述多孔碳的D50粒徑為3-25μm；所述多孔碳的孔容為0.4-1.5cm3g；所述多孔碳BET為500-2900m2g；所述硅烷混合氣為硅烷+氮氣、硅烷+氬氣或硅烷+氦氣中的一種或多種，硅沉積量為20-80％； 2混合氣碳包覆硅碳材料：將不同比例的混合氣源通入設備內(nèi)，調(diào)控氣速和設備動態(tài)轉(zhuǎn)動速率，使其均勻分散，升溫至450℃，實現(xiàn)硅碳材料表面均勻碳包覆； 所述混合氣源包括保護氣、硅烷以及碳源氣體，混合質(zhì)量比為1:0.1:0.1-5；所述保護氣為氮氣、氬氣、氦氣、氫氣中的至少一種；所述硅烷包括甲硅烷、乙硅烷或SinH2n+2更高一級的硅氫化合物，其中n為正整數(shù)；所述碳源氣體為丙烯與丁烯或者丙烯與丁二烯，所述丙烯與丁烯、丙烯與丁二烯的質(zhì)量比均為1：1。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人常州硅源新能材料有限公司，其通訊地址為：213100 江蘇省常州市武進區(qū)西太湖科技產(chǎn)業(yè)園蘭香路8號4號廠房；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。