深圳飛驤科技股份有限公司請求不公布姓名獲國家專利權(quán)
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龍圖騰網(wǎng)獲悉深圳飛驤科技股份有限公司申請的專利硅基恒溫式聲表面波濾波器及其制備方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán),本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予,授權(quán)公告號為:CN120433748B 。
龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-09發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉:該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為:202510952353.X,技術(shù)領(lǐng)域涉及:H03H9/64;該發(fā)明授權(quán)硅基恒溫式聲表面波濾波器及其制備方法是由請求不公布姓名設(shè)計(jì)研發(fā)完成,并于2025-07-10向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。
本硅基恒溫式聲表面波濾波器及其制備方法在說明書摘要公布了:本發(fā)明涉及無線通訊技術(shù)領(lǐng)域,提供了一種硅基恒溫式聲表面波濾波器及其制備方法,制備方法包括以下步驟:對硅襯底進(jìn)行單晶硅離子注入分別形成n型熱偶對和p型熱偶對;制作介質(zhì)層;制作熱偶對互連層,以使n型熱偶對和p型熱偶對連接形成通路;在介質(zhì)層遠(yuǎn)離硅襯底的表面制作鈍化粘附層;在鈍化粘附層遠(yuǎn)離硅襯底的表面制作聲學(xué)層;對聲學(xué)層進(jìn)行開窗形成第一凹槽和第二凹槽,分別暴露n型熱偶對和p型熱偶對;對第一凹槽和第二凹槽內(nèi)分別制作第一電氣互連層和第二電氣互連層,對聲學(xué)層遠(yuǎn)離硅襯底的表面制作叉指結(jié)構(gòu),得到硅基恒溫式聲表面波濾波器。本發(fā)明的硅基恒溫式聲表面波濾波器能夠提高溫度穩(wěn)定性與功率耐受性能。
本發(fā)明授權(quán)硅基恒溫式聲表面波濾波器及其制備方法在權(quán)利要求書中公布了:1.一種硅基恒溫式聲表面波濾波器的制備方法,其特征在于,所述制備方法包括以下步驟: 步驟S1、選擇硅襯底,并對所述硅襯底進(jìn)行單晶硅離子注入,分別形成n型熱偶對和p型熱偶對; 步驟S2、在所述硅襯底的上表面制作介質(zhì)層,使所述介質(zhì)層完全覆蓋所述硅襯底、所述n型熱偶對及所述p型熱偶對的上表面; 步驟S3、對所述介質(zhì)層進(jìn)行第一次開窗,暴露出所述n型熱偶對和所述p型熱偶對,在所述第一次開窗位置制作熱偶對互連層,以使所述n型熱偶對和所述p型熱偶對連接形成通路; 步驟S4、在所述介質(zhì)層遠(yuǎn)離所述硅襯底的表面制作鈍化粘附層,并完全覆蓋所述介質(zhì)層和所述熱偶對互連層; 步驟S5、在所述鈍化粘附層遠(yuǎn)離所述硅襯底的表面制作聲學(xué)層,并完全覆蓋所述鈍化粘附層; 步驟S6、由所述聲學(xué)層表面向下進(jìn)行第二次開窗,形成第一凹槽和第二凹槽,用于分別暴露出所述n型熱偶對和所述p型熱偶對;其中,所述第一次開窗和所述第二次開窗的位置相異; 步驟S7、在所述第一凹槽和所述第二凹槽內(nèi)分別制作第一電氣互連層和第二電氣互連層,使得所述第一電氣互連層貼合于所述第一凹槽的內(nèi)槽壁延伸且與所述n型熱偶對電連接,且使得所述第二電氣互連層貼合于所述第二凹槽的內(nèi)槽壁延伸且與所述p型熱偶對電連接,并在所述聲學(xué)層遠(yuǎn)離所述硅襯底的表面制作叉指結(jié)構(gòu),得到硅基恒溫式聲表面波濾波器。
如需購買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù),可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)@麢?quán)人深圳飛驤科技股份有限公司,其通訊地址為:518052 廣東省深圳市南山區(qū)南頭街道大汪山社區(qū)南光路286號水木一方大廈1棟1601;或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服,聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。
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